| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·忆阻器简介 | 第11-12页 |
| ·阻变随机存储器（RRAM）研究现状 | 第12-22页 |
| ·电致电阻效应简介 | 第12页 |
| ·电致电阻效应的分类 | 第12-13页 |
| ·阻变机制 | 第13-16页 |
| ·阻变转变参数 | 第16-18页 |
| ·阻变随机存储器目前所使用的材料体系 | 第18-22页 |
| ·突触仿生器件的研究 | 第22-25页 |
| ·本论文选题内容与研究意义 | 第25-27页 |
| 第2章 分子结构对三苯胺基聚甲亚胺阻变性能的影响 | 第27-42页 |
| ·引言 | 第27-31页 |
| ·实验药品与实验仪器 | 第31页 |
| ·材料合成 | 第31-33页 |
| ·聚合物结构表征 | 第33-37页 |
| ·分子量表征 | 第34-35页 |
| ·光学禁带宽度和分子轨道能级的计算 | 第35-36页 |
| ·热重分析 | 第36-37页 |
| ·阻变存储器性能表征 | 第37-41页 |
| ·器件的制备与表征 | 第37-39页 |
| ·线型聚甲亚胺和超支化聚甲亚胺的阻变性能 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 基于聚三苯胺高分子的阻变存储器及其性能研究 | 第42-57页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·实验药品与实验仪器 | 第44页 |
| ·材料合成 | 第44-45页 |
| ·聚合物材料表征 | 第45-50页 |
| ·1H NMR和FTIR表征 | 第45-46页 |
| ·热重分析 | 第46-47页 |
| ·紫外-可见和荧光光谱表征 | 第47-48页 |
| ·循环伏安表征 | 第48-49页 |
| ·聚三苯胺薄膜的断面厚度表征 | 第49-50页 |
| ·阻变存储器性能表征 | 第50-55页 |
| ·器件的制备和表征 | 第50页 |
| ·聚三苯胺的阻变性能 | 第50-54页 |
| ·Ta/聚三苯胺/Pt存储器阻变机理的探讨 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 基于三苯胺高分子的突触仿生研究 | 第57-70页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验药品与实验仪器 | 第58页 |
| ·材料合成 | 第58-59页 |
| ·聚合物结构表征 | 第59-62页 |
| ·1H NMR表征 | 第59-60页 |
| ·热重分析 | 第60-61页 |
| ·紫外-可见吸收光谱表征 | 第61页 |
| ·荧光光谱表征 | 第61-62页 |
| ·循环伏安表征 | 第62页 |
| ·器件性能 | 第62-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第5章 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·总结 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 在学研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |