相变存储器用Mg掺杂硫族化合物性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 绪论 | 第11-22页 |
| ·闪存 | 第11-12页 |
| ·几种新型非易失性存储器及其性能的比较 | 第12-15页 |
| ·铁电存储器 | 第12-13页 |
| ·磁随机存储器 | 第13页 |
| ·相变存储器 | 第13-15页 |
| ·非易失性存储器的性能比较 | 第15页 |
| ·相变存储器的研究现状 | 第15-17页 |
| ·相变存储材料 | 第17-19页 |
| ·相变材料的要求 | 第17-18页 |
| ·相变存储材料的发展历程 | 第18-19页 |
| ·相变存储器面临的问题 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究意义及内容 | 第20-22页 |
| 2 实验和分析测试方法 | 第22-25页 |
| ·薄膜样品制备及热处理 | 第22页 |
| ·薄膜样品制备 | 第22页 |
| ·薄膜热处理 | 第22页 |
| ·材料性能表征 | 第22-25页 |
| ·薄膜膜厚测试 | 第22-23页 |
| ·组分测试 | 第23页 |
| ·原位电阻测试 | 第23页 |
| ·光学带隙测试 | 第23页 |
| ·显微结构分析 | 第23-24页 |
| ·激光诱导分析 | 第24-25页 |
| 3 Mg-Zn-Sb相变材料的光电性能及结构研究 | 第25-29页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第25页 |
| ·Mg-ZnSb相变薄膜的结构分析 | 第25-27页 |
| ·Mg-ZnSb相变薄膜的电学特性 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 Mg-Ge-Te相变材料的光电性能及结构研究 | 第29-36页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第29页 |
| ·Mg-Ge-Te相变材料的结构分析 | 第29-32页 |
| ·Mg-Ge-Te相变材料的电学特性 | 第32-33页 |
| ·Mg-Ge-Te相变材料的光学特性 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 5 Mg-Sb-Te相变材料的光电性能及结构研究 | 第36-62页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第36-37页 |
| ·Mg-Sb_2Te相变薄膜的结构及性能 | 第37-46页 |
| ·结构分析 | 第37-40页 |
| ·电学特性 | 第40-41页 |
| ·热学特性 | 第41-43页 |
| ·光学特性 | 第43-46页 |
| ·Mg-Sb_7Te_3相变薄膜的结构及性能 | 第46-53页 |
| ·结构分析 | 第46-48页 |
| ·电学特性 | 第48-49页 |
| ·热学特性 | 第49-50页 |
| ·光学特性 | 第50-53页 |
| ·Mg-Sb_4Te相变薄膜的结构及性能 | 第53-60页 |
| ·结构分析 | 第53-56页 |
| ·电学特性 | 第56页 |
| ·热学特性 | 第56-57页 |
| ·光学特性 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 6 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·研究总结 | 第62-63页 |
| ·工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
