| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·VO_2的晶体结构和性质 | 第10-12页 |
| ·VO_2薄膜发生金属-半导体相变的相变机理 | 第12-14页 |
| ·VO_2薄膜的用途 | 第14-16页 |
| ·红外辐射测热计 | 第14页 |
| ·红外脉冲激光防辐射膜 | 第14-15页 |
| ·光电开关 | 第15页 |
| ·光存储 | 第15-16页 |
| ·VO_2薄膜的制备方法 | 第16-21页 |
| ·溅射法 | 第16-17页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第17-18页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第19-21页 |
| ·国内外磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的研究现状 | 第21-22页 |
| ·论文研究意义及内容 | 第22-24页 |
| ·研究意义 | 第22页 |
| ·研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验部分 | 第24-31页 |
| ·实验材料与设备 | 第24-27页 |
| ·靶材的选购 | 第24页 |
| ·基片的清洗 | 第24-25页 |
| ·仪器设备 | 第25-27页 |
| ·实验原料及试剂 | 第27页 |
| ·表征方法 | 第27-30页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第27-28页 |
| ·台阶仪 | 第28页 |
| ·光电子能谱（XPS） | 第28页 |
| ·显微共焦激光拉曼光谱仪（Raman） | 第28-29页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FESEM） | 第29页 |
| ·变温透过分析 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 V_2O_5靶制备 VO_2薄膜的实验结果与分析 | 第31-41页 |
| ·氧含量不同对制备的 VO_2薄膜性能的影响 | 第31-37页 |
| ·溅射中通入氧气制备的 VO_2薄膜 | 第31-33页 |
| ·溅射中未通入氧气制备的 VO_2薄膜 | 第33-37页 |
| ·SiOx 薄膜衬底镀制时间的增加对 VO_2薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| ·VO_2薄膜的制备 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 V 靶制备 VO_2薄膜的实验结构与分析 | 第41-69页 |
| ·热处理氧化法制备 VO_2薄膜 | 第41-51页 |
| ·薄膜的 XRD 分析 | 第42-44页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第44-49页 |
| ·薄膜的微观形貌分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| ·热处理还原法制备 VO_2薄膜 | 第51-68页 |
| ·V_2O_5薄膜的制备 | 第51-59页 |
| ·VO_2薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·薄膜的 XRD 分析 | 第60-61页 |
| ·薄膜的 Raman 分析 | 第61-62页 |
| ·薄膜的 XPS 分析 | 第62-63页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第63-67页 |
| ·薄膜的微观形貌分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74页 |