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D类功率放大器行为建模与预失真技术研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-14页
第一章 绪论第14-18页
   ·课题研究的背景与意义第14页
   ·国内外相关技术的研究现状第14-17页
     ·非线性特性和记忆效应第14-16页
     ·行为模型和预失真技术第16-17页
   ·论文的内容安排第17-18页
第二章 水声信号发射机电路第18-35页
   ·发射机电路构成第18页
   ·PWM 信号第18-22页
     ·PWM 信号产生电路第18-20页
     ·PWM 信号产生电路的仿真第20-21页
     ·三电平 PWM 信号产生电路与仿真第21-22页
   ·死区时间控制电路第22-25页
     ·死区时间原理第22-23页
     ·死区时间控制电路第23-25页
   ·功率放大电路第25-29页
     ·功放拓扑结构第25-27页
     ·低通滤波器与换能器第27-29页
   ·匹配网络第29-31页
     ·匹配网络的数学模型第29-31页
     ·匹配网络电路第31页
   ·发射机的输出信号第31-34页
     ·固定频率的单音输入信号第31-32页
     ·线性调频输入信号第32-34页
   ·本章小结第34-35页
第三章 D 类功放的非线性特性第35-65页
   ·AM-AM 和 AM-PM 特性第35-41页
     ·数学模型第35页
     ·半桥电路 AM-AM 和 AM-PM 的仿真结果第35-38页
     ·全桥电路 AM-AM 和 AM-PM 的仿真结果第38-41页
   ·包络特性第41-42页
     ·数学描述第41页
     ·包络特性仿真结果第41-42页
   ·谐波特性第42-47页
     ·谐波失真数学模型第42-43页
     ·半桥电路谐波失真仿真结果第43-45页
     ·全桥电路谐波失真仿真结果第45-46页
     ·全桥三电平电路谐波失真仿真结果第46-47页
   ·互调失真(IMD)特性第47-55页
     ·IMD 数学模型第47页
     ·记忆效应的数学模型第47-49页
     ·IMD 仿真结果第49-55页
   ·过渡特性第55-56页
   ·影响功放非线性失真的因素第56-64页
     ·死区时间的影响第56-59页
     ·栅源极电容的影响第59-61页
     ·电源纹波的影响第61-62页
     ·匹配网络的影响第62-64页
   ·本章小结第64-65页
第四章 D 类功放的行为建模和预失真技术第65-95页
   ·常见行为模型及数学描述第65-68页
     ·无记忆多项式模型第65-66页
     ·Saleh 模型第66页
     ·Volterra 级数模型第66页
     ·Wiener 模型第66-67页
     ·Hammerstein 模型第67-68页
     ·神经网络模型第68页
   ·无记忆的改进型 BP 神经网络模型第68-78页
     ·最佳逼近理论第69页
     ·切比雪夫正交基神经网络第69-70页
     ·优化算法(最佳隐含层神经元数确定法)第70-72页
     ·仿真和分析第72-78页
   ·有记忆的改进型 Elman 神经网络模型第78-90页
     ·基本 Elman 神经网络第79页
     ·改进型 Elman 神经网络第79-81页
     ·学习和训练算法第81-82页
     ·最佳隐含层神经元数确定第82-83页
     ·仿真和分析第83-90页
   ·预失真技术第90-94页
     ·预失真的数学模型第91-92页
     ·仿真结果和分析第92-94页
   ·本章小结第94-95页
第五章 总结与展望第95-97页
   ·工作总结第95页
   ·下一步工作展望第95-97页
参考文献第97-103页
致谢第103-104页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第104页

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