| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究意义 | 第7-8页 |
| ·研究现状 | 第8-10页 |
| ·应变 Si 能带结构研究现状 | 第8-9页 |
| ·应变 SiGe 能带结构研究状况 | 第9页 |
| ·能带结构计算方法的发展动态 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 锗的基本特性与能带计算方法 | 第11-31页 |
| ·锗的晶格结构 | 第11-12页 |
| ·锗的能带结构 | 第12-15页 |
| ·赝势法 | 第15-20页 |
| ·赝波方程 | 第15-17页 |
| ·赝势形式因子 | 第17-19页 |
| ·经验和自洽赝势法 | 第19-20页 |
| ·紧束缚法 | 第20-28页 |
| ·分子轨道和重叠参数 | 第21-24页 |
| ·用紧束缚方法计算 Ge 的能带结构 | 第24-28页 |
| ·K.P.微扰法 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第三章 应变 Ge 的哈密顿模型 | 第31-41页 |
| ·应变张量ε | 第31-39页 |
| ·应变张量的通解 | 第31-35页 |
| ·不同晶向的应变张量 | 第35-39页 |
| ·应变 Ge 的哈密顿模型 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 应变 Ge 价带色散关系模型 | 第41-59页 |
| ·应变锗价带理论模型 | 第41-47页 |
| ·应变锗价带 E(k)-k 结构模拟 | 第47-58页 |
| ·应力对应变 Ge 价带结构的影响 | 第47-49页 |
| ·不同衬底对应变 Ge 价带结构的影响 | 第49-50页 |
| ·不同晶向对应变 Ge 价带结构的影响 | 第50-51页 |
| ·等能线图与等能面图的分析 | 第51-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 应变 Ge 空穴有效质量的各向异性与各向同性 | 第59-67页 |
| ·空穴有效质量各向异性 | 第59-62页 |
| ·理论模型 | 第59-60页 |
| ·结果与分析 | 第60-62页 |
| ·空穴有效质量各向同性 | 第62-65页 |
| ·理论模型 | 第62-63页 |
| ·结果与分析 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第75-76页 |