| 目录 | 第1-7页 |
| CONTENTS | 第7-10页 |
| 中文摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-43页 |
| ·发光的定义及分类 | 第15-17页 |
| ·发光材料的应用 | 第17-18页 |
| ·研究光电集成的目的、意义及存在的问题 | 第18-20页 |
| ·研究光电集成的目的和意义 | 第18-19页 |
| ·实现光电集成面临的问题 | 第19-20页 |
| ·硅基发光材料研究综述 | 第20-30页 |
| ·硅基材料在发光方面的不足 | 第20-22页 |
| ·改善硅基材料发光性质的途径 | 第22-23页 |
| ·硅基发光材料研究概况 | 第23-30页 |
| ·影响稀土掺杂硅基发光材料发光效率的因素 | 第30-32页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 稀土掺杂硅基薄膜材料的制备与性能测试 | 第43-53页 |
| ·薄膜制备常用技术 | 第43-46页 |
| ·薄膜性质表征测试技术 | 第46-48页 |
| ·本研究所用样品的制备及后期热处理 | 第48-50页 |
| ·Er掺杂富硅SiO_2薄膜的制备 | 第49页 |
| ·Ce掺杂SiO_2薄膜的制备 | 第49页 |
| ·样品退火热处理 | 第49-50页 |
| ·样品性质表征及测试 | 第50页 |
| ·实验中所用到的仪器 | 第50-51页 |
| ·本工作中所用到的计算软件 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第三章 Er掺杂包理纳米晶硅SiO_2薄膜的结构和发光性质 | 第53-75页 |
| ·Er~(3+)离子的光谱理论 | 第53-58页 |
| ·Er~(3+)离子发光机理 | 第53-55页 |
| ·Er~(3+)离子发光光谱展宽理论 | 第55-58页 |
| ·Er~(3+)离子与Si-nc的耦合机制 | 第58-61页 |
| ·Er~(3+)离子掺杂体硅材料和Er~(3+)离子掺杂富硅氧化硅模型 | 第58-59页 |
| ·Si-nc量子限制效应 | 第59页 |
| ·Er~(3+)与Si-nc耦合机制 | 第59-61页 |
| ·Er：SRSO样品的微观结构 | 第61-64页 |
| ·Er：SRSO样品高温快速退火后的TEM图 | 第61-62页 |
| ·Er：SRSO样品经1100℃不同时间退火后的Raman光谱 | 第62-64页 |
| ·Er：SRSO样品的PL性质 | 第64-70页 |
| ·退火时间对样品PL性质的影响 | 第64-66页 |
| ·外加压强对样品PL性质的影响 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第四章 Ce掺杂SiO_2薄膜发光性质 | 第75-93页 |
| ·Ce~(3+)离子发光机理 | 第75-76页 |
| ·离子注入浓度换算 | 第76-77页 |
| ·A系列Ce~(3+)离子掺杂SiO_2薄膜PL性质 | 第77-83页 |
| ·Ce~(3+)离子掺杂浓度对样品PL性质的影响 | 第77-79页 |
| ·退火温度对样品PL性质的影响 | 第79-82页 |
| ·退火气氛对样品PL性质的影响 | 第82-83页 |
| ·B系列Ce~(3+)离子掺杂SiO_2薄膜PL性质 | 第83-86页 |
| ·不同Ce~(3+)离子掺杂浓度样品的PL谱 | 第83-85页 |
| ·经不同温度退火样品的PL谱 | 第85-86页 |
| ·不同气氛中经1100℃退火样品的PL谱 | 第86页 |
| ·制备方法对样品PL性质的影响 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第五章 基于第一性原理的材料光电性质计算 | 第93-117页 |
| ·第一性原理计算 | 第93-94页 |
| ·Hartree-Forck方法和密度泛函理论 | 第94-101页 |
| ·Hartree-Forck方法 | 第94-96页 |
| ·密度泛函理论 | 第96-101页 |
| ·SiO_2光电性质计算 | 第101-104页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第101页 |
| ·几何结构优化结果 | 第101页 |
| ·SiO_2的能带结构和态密度 | 第101-103页 |
| ·SiO_2光学性质计算结果与分析 | 第103-104页 |
| ·包理纳米晶硅SiO_2光电性质计算 | 第104-110页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第104-105页 |
| ·几何结构优化结果 | 第105-106页 |
| ·包埋纳米晶硅SiO_2的能带结构和态密度 | 第106-108页 |
| ·包理纳米晶硅SiO_2光学性质计算结果与分析 | 第108-110页 |
| ·Ce掺杂SiO_2光电性质计算 | 第110-114页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第110页 |
| ·几何结构优化结果 | 第110页 |
| ·Ce掺杂SiO_2能带结构和态密度 | 第110-113页 |
| ·Ce掺杂SiO_2光学性质计算结果与分析 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 第六章 全文总结 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第120-121页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第121-122页 |
| 附录 | 第122-130页 |
