| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 符号说明 | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·半导体光催化的基本原理 | 第19-20页 |
| ·铋基光催化半导体材料的研究及应用进展 | 第20-25页 |
| ·本论文的研究内容 | 第25-29页 |
| 第二章 密度泛函理论基础与方法 | 第29-44页 |
| ·电子密度 | 第29-30页 |
| ·Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似 | 第30-33页 |
| ·密度泛函理论 | 第33-37页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第33-34页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第34-35页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第35-37页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第37-39页 |
| ·局域密度近似 | 第37-38页 |
| ·广义梯度近似 | 第38页 |
| ·轨道泛函 | 第38页 |
| ·杂化泛函 | 第38-39页 |
| ·自旋限制与非限制计算 | 第39页 |
| ·自相互作用修正 | 第39-40页 |
| ·平面波和赝势方法 | 第40-41页 |
| ·平面波方法 | 第40页 |
| ·赝势方法 | 第40-41页 |
| ·本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第41-44页 |
| 第三章 Bi_2MO_6(M=Cr Mo W)的电子结构及光催化性质研究 | 第44-55页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第44-45页 |
| ·计算方法和模型 | 第45页 |
| ·结果和讨论 | 第45-53页 |
| ·几何结构 | 第45-46页 |
| ·能带结构 | 第46-49页 |
| ·能态密度 | 第49-52页 |
| ·原子的电荷和健序 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第四章 氮杂质和氧空位对Bi_2MO_6(M=Mo,W)的电子结构及光催化性质影响的研究 | 第55-66页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第55-56页 |
| ·计算方法与模型 | 第56-58页 |
| ·结果和讨论 | 第58-65页 |
| ·缺陷形成能 | 第58-60页 |
| ·电子结构 | 第60-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 N、Mo掺杂Bi_2WO_6的光催化水解性质研究 | 第66-73页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第66-67页 |
| ·计算方法与模型 | 第67页 |
| ·结果和讨论 | 第67-72页 |
| ·缺陷形成能和缺陷对键能 | 第67-69页 |
| ·电子结构 | 第69-71页 |
| ·带边位置 | 第71-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 第六章 共掺杂对BiVO_4光催化氧化制氧的协同效应研究 | 第73-83页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第73-74页 |
| ·计算方法与模型 | 第74-75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-82页 |
| ·缺陷形成能和缺陷对键能 | 第75-77页 |
| ·电子结构 | 第77-81页 |
| ·带边位置 | 第81-82页 |
| ·结论 | 第82-83页 |
| 第七章 BiNbO_4的本征缺陷的研究 | 第83-102页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第83-84页 |
| ·计算方法和模型 | 第84-89页 |
| ·计算模型 | 第84-85页 |
| ·计算方法 | 第85-86页 |
| ·缺陷形成能 | 第86-87页 |
| ·形成能依赖的化学势 | 第87-89页 |
| ·结果和讨论 | 第89-100页 |
| ·块体BiNbO_4的性质 | 第89-90页 |
| ·本征缺陷 | 第90-100页 |
| ·结论 | 第100-102页 |
| 第八章 总结与展望 | 第102-105页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·对不足之处的分析 | 第103-104页 |
| ·对光催化研究领域的展望 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录及参加的科研活动等情况 | 第118-120页 |
| 1 发表论文目录 | 第118-119页 |
| 2 参加的国内、国际会议 | 第119页 |
| 3 参与的科研项目 | 第119-120页 |
| 附录：攻读博士期间所发表的英文论文(原文) | 第120-137页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第137页 |
