| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·几种不挥发存储器 | 第9-13页 |
| ·闪存技术（Flash Memory） | 第9-10页 |
| ·铁电存储器（FeRAM） | 第10-12页 |
| ·磁性存储器（MRAM） | 第12-13页 |
| ·相变存储器的存储原理及与其它不挥发存储器的比较 | 第13-16页 |
| ·相变存储器（PRAM） | 第13-15页 |
| ·不挥发存储器的性能比较 | 第15-16页 |
| ·相变存储器的研究进展 | 第16-21页 |
| ·相变存储材料的性能要求 | 第16-17页 |
| ·相变存储器的研究进程 | 第17-18页 |
| ·相变存储研究面临的问题 | 第18-21页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第二章 相变存储材料分布图 | 第25-39页 |
| ·相变存储材料的研究 | 第25-27页 |
| ·一元及二元相变存储材料分布图 | 第27-31页 |
| ·三元及以上相变存储材料地图 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 第三章 实验条件和测试方法 | 第39-48页 |
| ·薄膜样品的制备和分析 | 第39-41页 |
| ·薄膜沉积装置及制备方法 | 第39-40页 |
| ·薄膜的分析测试方法 | 第40-41页 |
| ·器件的制备和测试 | 第41-47页 |
| ·原型器件的制备工艺 | 第41-45页 |
| ·器件性能测试方法 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 Si-Sb-Se 相变薄膜 | 第48-51页 |
| ·Si-Sb-Se 薄膜的制备 | 第48-49页 |
| ·电阻率与退火温度之间的关系 | 第49-51页 |
| 第五章 SiNx-Sb-Te 相变薄膜 | 第51-57页 |
| ·薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·薄膜结构分析 | 第52-54页 |
| ·退火前后厚度变化 | 第54-55页 |
| ·薄膜热电性能分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 基于 SiNx-Sb-Te 薄膜的相变存储器 | 第57-66页 |
| ·器件 I-V 特性 | 第57-60页 |
| ·器件的转变特性 | 第60-63页 |
| ·器件转变机理 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第七章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第69-70页 |
| 附件 | 第70-72页 |