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直流反应磁控溅射法制备Ga-N共掺p型ZnMgO薄膜

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目录第6-8页
第一章 前言第8-10页
第二章 文献综述第10-31页
   ·ZnO的结构与性能第10-14页
     ·ZnO的基本结构第10-11页
     ·ZnO的基本性质第11-13页
     ·ZnO的光电性质第13-14页
     ·ZnO的其它性质第14页
   ·ZnO的本征缺陷与n型掺杂第14-16页
     ·ZnO的本征缺陷第14-16页
     ·ZnO的非故意掺杂第16页
     ·ZnO的n型掺杂第16页
   ·ZnO的p型掺杂第16-21页
     ·本征p型ZnO第17页
     ·Ⅰ族元素掺杂第17-18页
     ·Ⅴ族元素掺杂第18-20页
     ·施主—受主共掺杂第20-21页
     ·双受主掺杂第21页
   ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金薄膜及其p型掺杂研究进展第21-26页
     ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金薄膜结构第21-22页
     ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂研究进展第22-26页
   ·Zn_(1-x)Mg_xO或ZnO薄膜的应用第26-30页
     ·ZnO基同质结第26-27页
     ·异质p-n结第27-28页
     ·ZnMgO/ZnO多量子阱,超晶格第28-30页
   ·立题背景目的、主要研究内容第30-31页
第三章 实验原理、薄膜制备过程及性能表征第31-38页
   ·直流反应磁控溅射原理和实验设备第31-33页
   ·薄膜制备过程第33-35页
     ·靶材的成型第33-34页
     ·衬底的清洗第34-35页
     ·制备ZnO和ZnMgO薄膜的过程第35页
   ·实验中几个基本参数的控制及其影响第35-36页
     ·靶基距(靶面、基板之间的距离)第36页
     ·溅射功率和工作压强第36页
   ·性能表征第36-38页
第四章 Ga-N共掺实现p-Zn_(1-x)Mg_xO的可行性分析第38-46页
   ·各种共掺理论第38-41页
     ·Yamamoto的共掺理论第38-39页
     ·Wang的共掺理论第39-40页
     ·Yan-Zhang的共掺理论第40-41页
   ·Ga-N共掺技术实现p-Zn_(1-x)Mg_xO可行性和优越性分析第41-46页
     ·从系统Madelung能量角度分析第43页
     ·从电负性角度分析第43-46页
第五章 Ga-N共掺ZnMgO薄膜的p型表现第46-56页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的晶体质量第46-49页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的电学性能第49-51页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的光学性能第51-53页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的元素化学态分析第53-54页
   ·小结第54-56页
第六章 Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜—N_2O分压和生长温度的影响第56-70页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜—N_2O的影响第56-60页
     ·N_2O分压对薄膜结晶性能的影响第56-57页
     ·N_2O分压对薄膜电学性能的影响第57-59页
     ·N_2O分压对薄膜光学性能的影响第59-60页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜—生长温度的影响第60-67页
     ·衬底温度对薄膜电学性能的影响第61-65页
     ·衬底温度对薄膜结晶性能的影响第65-67页
     ·最佳温度下共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜的Ga、N元素状态分析第67页
   ·Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜—N源气体的影响第67-69页
   ·小结第69-70页
第七章 Ga-N共掺p-Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的改善及尝试制造、设计简单器件第70-80页
   ·衬底材料的影响第70-73页
   ·退火处理的影响第73-74页
   ·n-Si/p-Zn_(1-x)Mg_xO异质结及ZnO或Zn_(1-x)Mg_xO基简单器件优化设计第74-79页
     ·非欧姆接触特性第75页
     ·欧姆接触特性第75-77页
     ·ZnMgO异质p-n结第77页
     ·ZnO或ZnMgO基p-n结优化设计第77-79页
   ·小结第79-80页
第八章 结论第80-81页
参考文献第81-92页
攻读硕士学位期间的发表或投递的论文第92-93页
致谢第93页

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