| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·碳化硅(SIC)半导体材料及其性质 | 第9-12页 |
| ·SIC的研究背景 | 第12-22页 |
| ·SiC体单晶的生长 | 第12页 |
| ·SiC薄膜的生长 | 第12-13页 |
| ·SiC晶须及其制备 | 第13-16页 |
| ·一维SiC纳米材料 | 第16-19页 |
| ·阵列结构的一维SiC纳米线 | 第19-22页 |
| ·课题的意义及研究内容 | 第22-24页 |
| ·课题的意义 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验方法及分析测试 | 第24-28页 |
| ·实验原料 | 第24页 |
| ·仪器和设备 | 第24-25页 |
| ·实验方法 | 第25页 |
| ·表征手段 | 第25-28页 |
| ·X射线衍射 | 第25-26页 |
| ·附带能谱仪的扫描电子显微镜 | 第26页 |
| ·透射电子显微镜 | 第26-27页 |
| ·光致发光谱 | 第27-28页 |
| 第三章 碳纤维上合成SIC纳米晶须阵列 | 第28-40页 |
| ·保温时间对碳纤维上SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第28-32页 |
| ·组分分析 | 第29-30页 |
| ·形貌分析 | 第30-31页 |
| ·结构分析 | 第31-32页 |
| ·光致发光性能分析 | 第32页 |
| ·真空度对碳纤维上SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第32-34页 |
| ·温度对碳纤维上SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第34-36页 |
| ·针尖状SIC纳米晶须的生长机理 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 石墨基板上合成SIC纳米晶须阵列 | 第40-53页 |
| ·保温时间对SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第40-44页 |
| ·相分析 | 第41页 |
| ·形貌分析 | 第41-43页 |
| ·结构分析 | 第43-44页 |
| ·光致发光性能研究 | 第44页 |
| ·真空度对石墨基板上SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第44-46页 |
| ·温度对石墨基板上SIC纳米晶须阵列形成的影响 | 第46-47页 |
| ·六棱柱状SIC纳米晶须阵列的形成机理 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 其它特殊形貌的SIC纳米晶须阵列 | 第53-62页 |
| ·碳纤维编织布上制得的SIC纳米晶须阵列 | 第53-55页 |
| ·石墨基板上制得的特殊形貌的SIC纳米晶须 | 第55-56页 |
| ·聚丙烯腈碳纤维(PAN)上制得的特殊形貌的SIC纳米晶须 | 第56-57页 |
| ·其它特殊形貌的SIC纳米晶须 | 第57-61页 |
| ·硅粉与碳纳米管混合加热制得的SiC纳米晶须 | 第57-58页 |
| ·热蒸发法在碳纳米管上合成SiC纳米晶须 | 第58-59页 |
| ·未通保护气下制得的产物 | 第59-60页 |
| ·SiC纳米晶须经腐蚀后的形貌 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 第七章 展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |