GaN及GaN基薄膜的制备、表征和特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| ·脉冲激光烧蚀和脉冲激光沉积 | 第9-11页 |
| ·脉冲激光烧蚀(PLA) | 第9页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第9-11页 |
| ·ECR等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第11-14页 |
| ·ECR等离子体 | 第11-13页 |
| ·ECR等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第13-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物和稀土掺杂Ⅲ族氮化物 | 第14-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物 | 第14页 |
| ·稀土掺杂Ⅲ族氮化物 | 第14-15页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN薄膜的制备与表征 | 第17-24页 |
| ·GaN薄膜 | 第17页 |
| ·GaN薄膜制备 | 第17-19页 |
| ·GaN薄膜的表征 | 第19-23页 |
| ·高能离子背散射(HEIBS) | 第19-20页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第20-21页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第21-22页 |
| ·可见波段透射谱 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 稀土掺杂GaN薄膜的制备与表征 | 第24-32页 |
| ·稀土掺杂GaN薄膜 | 第24页 |
| ·双激光双靶共烧蚀薄膜沉积与原位掺杂 | 第24-25页 |
| ·稀土掺杂GaN薄膜的制备 | 第25-26页 |
| ·稀土掺杂GaN薄膜的表征 | 第26-30页 |
| ·高能离子背散射(HEIBS) | 第26-27页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第27-29页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第29页 |
| ·可见波段透射谱 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 Si衬底上GaN薄膜的缓冲层的制备与选择 | 第32-42页 |
| ·Si衬底上GaN薄膜的缓冲层 | 第32-33页 |
| ·SiC的制备及表征 | 第33-37页 |
| ·SiC薄膜 | 第33页 |
| ·SiC薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·SiC薄膜的表征 | 第34-37页 |
| ·AlN的制备及表征 | 第37-40页 |
| ·AlN薄膜 | 第37-38页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·AlN薄膜的表征 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 缓冲层和退火对GaN系薄膜特性的影响 | 第42-47页 |
| ·缓冲层对GaN薄膜特性的影响 | 第42-44页 |
| ·缓冲层 AlN和GaN薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·含有缓冲层的GaN薄膜的特性研究 | 第43-44页 |
| ·退火对GaN薄膜特性的影响 | 第44-46页 |
| ·GaN的发光特性 | 第44页 |
| ·GaN薄膜的光致发光特性研究 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 后记 | 第55-56页 |
