| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·光伏材料的研究现状及发展动态 | 第11-16页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·物理气相沉积方法 | 第16-18页 |
| ·化学气相沉积方法 | 第18-19页 |
| ·本课题研究的目的与意义 | 第19-21页 |
| ·本课题研究的内容 | 第21-22页 |
| 第二章 试验原理与方法 | 第22-33页 |
| ·磁控溅射原理 | 第22-24页 |
| ·太阳电池减反膜原理 | 第24-26页 |
| ·实验材料的准备 | 第26-28页 |
| ·靶材的制备 | 第26-27页 |
| ·衬底材料的选择 | 第27-28页 |
| ·镀膜的操作流程 | 第28页 |
| ·薄膜的热处理 | 第28-29页 |
| ·薄膜的微结构与成分分析 | 第29-30页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第29页 |
| ·薄膜密度的测量 | 第29页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第29-30页 |
| ·扫描电镜/能量耗散谱分析 | 第30页 |
| ·红外光谱 | 第30页 |
| ·拉曼光谱 | 第30页 |
| ·薄膜的光性能表征 | 第30-33页 |
| ·紫外光谱分析 | 第31页 |
| ·光致发光谱分析 | 第31-33页 |
| 第三章 氮化硅薄膜的射频磁控反应溅射工艺与性能 | 第33-55页 |
| ·衬底温度对SIN薄膜性能的影响 | 第33-39页 |
| ·溅射功率对SIN薄膜性能的影响 | 第39-45页 |
| ·反应气压对SIN薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| ·N_2/AR气体流量比对SIN薄膜性能的影响 | 第49-53页 |
| ·SIN薄膜沉积工艺的确定 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 SIN/(SI/GE)_X多层薄膜的制备与性能表征 | 第55-68页 |
| ·SIN/(SI/GE)_X多层薄膜的设计与制备 | 第55-57页 |
| ·SIN/(SI/GE)_X多层薄膜的微结构 | 第57-61页 |
| ·SIN/(SI/GE)_X多层薄膜的光性能 | 第61-65页 |
| ·(Si/Ge)_x 多层薄膜的PL 谱 | 第61-63页 |
| ·SIN/(SI/GE)_X 多层薄膜的紫外-可见吸收光谱分析 | 第63-64页 |
| ·薄膜的紫外-可见反射光谱分析 | 第64-65页 |
| ·SIN/A-SI/A-GE/(SI/GE)_3 多层膜的耐蚀性 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 学习期间发表的学术论文 | 第76页 |
