掺杂铌酸锂晶体的缺陷和性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 文献综述 | 第10-17页 |
| ·铌酸锂晶体的性质和用途 | 第10页 |
| ·铌酸锂晶体的结构 | 第10-11页 |
| ·研究进展 | 第11-15页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷模型 | 第11-13页 |
| ·铌酸锂晶体的非本征缺陷 | 第13-14页 |
| ·铌酸锂晶体的掺杂改性 | 第14-15页 |
| ·本课题的研究内容与意义 | 第15-17页 |
| ·课题的研究内容 | 第15-16页 |
| ·选题的意义及创新点 | 第16-17页 |
| 2 晶体的化学键方法 | 第17-23页 |
| ·化学键概念的提出与发展 | 第17-18页 |
| ·化学键方法的基本原理 | 第18-19页 |
| ·鲍林电价规则 | 第18-19页 |
| ·键价理论 | 第19页 |
| ·化学键方法的应用 | 第19-23页 |
| ·晶体结构分析 | 第19-20页 |
| ·多功能晶体材料结构设计 | 第20-21页 |
| ·晶体性质研究 | 第21页 |
| ·晶体生长与性能调控 | 第21-23页 |
| 3 掺杂铌酸锂晶体的缺陷结构和性质研究 | 第23-40页 |
| ·理论模型 | 第23-25页 |
| ·掺杂离子在铌酸锂晶体中的占位分析 | 第25-28页 |
| ·抗光折变离子在铌酸锂晶体中的占位 | 第25-26页 |
| ·光折变离子在铌酸锂晶体中的占位 | 第26-27页 |
| ·稀土离子在铌酸锂晶体中的占位 | 第27-28页 |
| ·掺杂离子在铌酸锂晶体中的性质分类 | 第28-31页 |
| ·抗光折变离子掺杂 | 第31-34页 |
| ·阈值效应 | 第31页 |
| ·抗光折变离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度 | 第31-34页 |
| ·抗光折变掺杂铌酸锂晶体的掺杂机理研究 | 第34-39页 |
| ·镁离子在铌酸锂晶体中的微观取代机制 | 第35页 |
| ·同成分掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构 | 第35-36页 |
| ·近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构 | 第36-38页 |
| ·抗光折变掺杂铌酸锂晶体的键能 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 掺杂铌酸锂晶体的缺陷能级研究 | 第40-47页 |
| ·理论模型 | 第41-42页 |
| ·掺杂离子在铌酸锂晶体中的能级分布 | 第42-44页 |
| ·掺杂离子能级分布的指导意义 | 第44-46页 |
| ·双掺杂非挥发全息存储 | 第44-45页 |
| ·掺杂离子能级分布的理论指导意义 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
