| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-35页 |
| ·模板法合成纳米结构新材料 | 第13-20页 |
| ·固相基质模板反特性合成法 | 第13-15页 |
| ·以孔材料的孔道为模板 | 第15-16页 |
| ·以自组装分子的反相结构为模板 | 第16-18页 |
| ·以现存纳米结构的反向结构为模板 | 第18-20页 |
| ·化学气相沉积（CVD）在合成新材料中的发展和应用 | 第20-34页 |
| ·新型CVD 方法简介 | 第21-23页 |
| ·近来CVD 前驱物的发展 | 第23-34页 |
| ·本研究的目的 | 第34-35页 |
| 第二章铜纳米棒的合成研究 | 第35-110页 |
| ·前言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·仪器设备 | 第36页 |
| ·样品制备与表征 | 第36-37页 |
| ·试验结果与讨论 | 第37-110页 |
| ·载气/反应气的影响及作用 | 第37-60页 |
| ·无载气沉积过程 | 第37-38页 |
| ·Ar 气氛中的化学气相沉积 | 第38-40页 |
| ·H_2气氛中的化学气相沉积 | 第40-49页 |
| ·H_2存在下Cu(acac)2在SBA-15 体系中的沉积机理探讨 | 第49-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| ·基质表面特性对沉积过程的影响 | 第60-110页 |
| ·Cu(acac)_2 在基质SBA-15 中的沉积 | 第60-66页 |
| ·Cu(acac)_2 在基质SBA-Me 中的沉积 | 第66-78页 |
| ·Cu(acac)_2 在基质OMC(ordered mesorporous carbon)中的沉积 | 第78-88页 |
| ·Cu(acac)_2 在基质SBA-C 中的沉积 | 第88-104页 |
| ·Cu(acac)_2 在基质CNT 中的沉积 | 第104-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第三章 氮化铜纳米棒的合成研究 | 第110-140页 |
| ·前言 | 第110-111页 |
| ·实验部分 | 第111-112页 |
| ·实验仪器设备 | 第111页 |
| ·样品制备及表征 | 第111-112页 |
| ·实验结果与讨论 | 第112-138页 |
| ·多次CVD 氮化循环法制备Cu3N 纳米线/棒 | 第112-118页 |
| ·一次CVD 氮化循环制备Cu3N 纳米线/棒 | 第118-138页 |
| ·小结 | 第138-140页 |
| 第四章CVD法制备ink-bottle pore体系 | 第140-171页 |
| ·前言 | 第140页 |
| ·试验仪器和设备 | 第140-141页 |
| ·样品制备与表征 | 第141-142页 |
| ·样品制备 | 第141-142页 |
| ·样品表征 | 第142页 |
| ·实验结果与讨论 | 第142-169页 |
| ·以纯SBA-15 为基质 | 第142-151页 |
| ·以SBA-C 为基质 | 第151-157页 |
| ·前驱物为Co(acac)_2时的沉积 | 第157-169页 |
| ·以SBA-15 为基质 | 第157-161页 |
| ·以SBA-C 为基质 | 第161-165页 |
| ·以苯为碳源对 SBA-C-Co 体系孔口进行进一步修饰 | 第165-169页 |
| ·小结 | 第169-171页 |
| 第五章结论 | 第171-173页 |
| 参考文献 | 第173-197页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第197-199页 |
| 致谢 | 第199-200页 |
| 作者简介 | 第200页 |
