| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-10页 |
| ·射频功率器件应用简介 | 第7页 |
| ·课题的应用背景 | 第7页 |
| ·课题简介 | 第7-8页 |
| ·应用工具简介 | 第8-9页 |
| ·各章节介绍 | 第9-10页 |
| 第2章 射频功率放大器简介 | 第10-14页 |
| ·射频电路设计的关键问题 | 第10-12页 |
| ·功率放大器的发展状况及趋势 | 第12-14页 |
| 第3章 RF LDMOS 技术简介 | 第14-24页 |
| ·LDMOS 的基本结构与特点 | 第14-15页 |
| ·使用LDMOS 制造RF 功率放大器 | 第15-19页 |
| ·对RF LDMOS 器件的改进 | 第19-24页 |
| 第4章 RF LDMOS 器件的设计与实现 | 第24-34页 |
| ·RF LDMOS 器件的结构设计 | 第24-25页 |
| ·RF LDMOS 器件的工艺流程设计 | 第25-26页 |
| ·RF LDMOS 器件的版图设计 | 第26-27页 |
| ·RF LDMOS 器件的流片测试结果 | 第27-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第5章 LDMOS 器件准饱和现象的研究 | 第34-40页 |
| ·准饱和现象（QUASI-SATURATION）简介 | 第34页 |
| ·长沟道MOS 晶体管的饱和现象 | 第34-35页 |
| ·短沟道MOS 晶体管的速度饱和现象 | 第35-38页 |
| ·RF LDMOS 晶体管的准饱和现象 | 第38-40页 |
| 第6章 对传统RF LDMOS 器件的改进设计 | 第40-54页 |
| ·本章简介 | 第40页 |
| ·RF LDMOS 器件的结构改进 | 第40-44页 |
| ·RF LDMOS 器件的工艺流程改进 | 第44-46页 |
| ·RF LDMOS 器件模拟结果对比 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 个人简历 | 第58页 |
| 发表的学术论文 | 第58页 |