首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

射频功率LDMOS器件设计

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第1章 引言第7-10页
   ·射频功率器件应用简介第7页
   ·课题的应用背景第7页
   ·课题简介第7-8页
   ·应用工具简介第8-9页
   ·各章节介绍第9-10页
第2章 射频功率放大器简介第10-14页
   ·射频电路设计的关键问题第10-12页
   ·功率放大器的发展状况及趋势第12-14页
第3章 RF LDMOS 技术简介第14-24页
   ·LDMOS 的基本结构与特点第14-15页
   ·使用LDMOS 制造RF 功率放大器第15-19页
   ·对RF LDMOS 器件的改进第19-24页
第4章 RF LDMOS 器件的设计与实现第24-34页
   ·RF LDMOS 器件的结构设计第24-25页
   ·RF LDMOS 器件的工艺流程设计第25-26页
   ·RF LDMOS 器件的版图设计第26-27页
   ·RF LDMOS 器件的流片测试结果第27-33页
   ·本章小结第33-34页
第5章 LDMOS 器件准饱和现象的研究第34-40页
   ·准饱和现象(QUASI-SATURATION)简介第34页
   ·长沟道MOS 晶体管的饱和现象第34-35页
   ·短沟道MOS 晶体管的速度饱和现象第35-38页
   ·RF LDMOS 晶体管的准饱和现象第38-40页
第6章 对传统RF LDMOS 器件的改进设计第40-54页
   ·本章简介第40页
   ·RF LDMOS 器件的结构改进第40-44页
   ·RF LDMOS 器件的工艺流程改进第44-46页
   ·RF LDMOS 器件模拟结果对比第46-53页
   ·本章小结第53-54页
结论第54-55页
参考文献第55-57页
致谢第57-58页
个人简历第58页
发表的学术论文第58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:圆柱几何下改进准静态格林函数节块法的研究
下一篇:基于K匿名数据集的隐私推理攻击检测和防范研究