| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-38页 |
| ·引言 | 第9-12页 |
| ·半导体存储器回顾 | 第9-11页 |
| ·半导体存储器发展趋势 | 第11-12页 |
| ·非易失性存储器概述 | 第12-16页 |
| ·非易失性存储器发展历史及现状 | 第12-14页 |
| ·非易失性存储器性能制备及评判标准 | 第14-16页 |
| ·几种非易失性存储器简介 | 第16-21页 |
| ·Flash | 第16-19页 |
| ·FeRAM | 第19-21页 |
| ·MRAM | 第21页 |
| ·相变存储器概述 | 第21-37页 |
| ·发展历史 | 第21-23页 |
| ·相变存储器原理介绍 | 第23-33页 |
| ·材料分析 | 第24-30页 |
| ·器件结构 | 第30-32页 |
| ·基本性能 | 第32-33页 |
| ·相变存储器主要优点 | 第33-34页 |
| ·国际最新研发状况 | 第34-35页 |
| ·关键技术研发重点 | 第35-37页 |
| ·本论文主要工作 | 第37-38页 |
| 第二章 相变存储器相变材料研究 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·制备条件对Ge_2Sb_2Te_5薄膜电学性能的影响 | 第38-43页 |
| ·实验方法 | 第38-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-43页 |
| ·Ag掺杂Ge_2Sb_2Te_5电学性能研究 | 第43-49页 |
| ·实验方法 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 相变存储器电极材料研究 | 第51-68页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·W电极制备与表征 | 第52-56页 |
| ·实验方法 | 第52-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-56页 |
| ·GeWN电极制备与表征 | 第56-64页 |
| ·实验方法 | 第57-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-64页 |
| ·不同电极材料对GST性能影响 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 电路模拟及器件结构优化 | 第68-80页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·电路模拟 | 第68-74页 |
| ·器件结构优化 | 第74-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 总结 | 第80-83页 |
| ·总结 | 第80-81页 |
| ·展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 发表论文目录 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 个人简历 | 第91-92页 |
| 附件 | 第92页 |