| 第一章 引言 | 第1-8页 |
| 第二章 薄膜技术和纳米材料 | 第8-22页 |
| 2．1 真空的获得及测量 | 第8-10页 |
| 2．1．1 真空的获得 | 第8-9页 |
| 2．1．1．1 机械泵 | 第9页 |
| 2．1．1．2 分子泵 | 第9页 |
| 2．1．2 真空的测量 | 第9-10页 |
| 2．2 成膜技术 | 第10-15页 |
| 2．2．1 薄膜的制备技术 | 第10-15页 |
| 2．2．1．1 热蒸发 | 第10-11页 |
| 2．2．1．2 分子束外延 | 第11页 |
| 2．2．1．3 液相外延生长 | 第11页 |
| 2．2．1．4 固相外延生长 | 第11页 |
| 2．2．1．5 朗缪尔-布洛吉特法 | 第11页 |
| 2．2．1．6 化学气相沉积 | 第11页 |
| 2．2．1．7 溶胶-凝胶法 | 第11-12页 |
| 2．2．1．8 溅射 | 第12-15页 |
| 2．3 薄膜的形成及其结构改进的途径 | 第15-17页 |
| 2．3．1 薄膜的形成 | 第15-17页 |
| 2．3．2 改善薄膜结构的途径 | 第17页 |
| 2．4 溅射镀膜的特点 | 第17-18页 |
| 2．5 溅射在薄膜技术中的应用 | 第18页 |
| 2．6 纳米材料 | 第18-19页 |
| 2．7 纳米材料的特性 | 第19-20页 |
| 2．8 纳米材料的应用 | 第20-22页 |
| 第三章 气敏元件的参数定义和工艺流程 | 第22-24页 |
| 3．1 气敏元件的几项重要参数 | 第22-23页 |
| 3．2 硅平面薄膜型气体传感器的制作流程 | 第23-24页 |
| 第四章 气敏元件的制备及其性能的测试 | 第24-36页 |
| 4．1 制备材料及设备 | 第24-25页 |
| 4．2 实验测量结果 | 第25-33页 |
| 4．2．1 加热电压对元件灵敏度的影响 | 第25-26页 |
| 4．2．2 元件的稳定性及温、湿度对元件初值的影响 | 第26-28页 |
| 4．2．3 灵敏度和选择性 | 第28-30页 |
| 4．2．4 响应／恢复时间 | 第30-33页 |
| 4．3 制备参数对元件性能的影响 | 第33-36页 |
| 4．3．1 薄膜厚度对元件性能的影响 | 第33-34页 |
| 4．3．2 溅射功率对薄膜厚度的影响 | 第34页 |
| 4．3．3 溅射气压对薄膜厚度的影响 | 第34页 |
| 4．3．4 溅射时间对薄膜厚度的影响 | 第34-36页 |
| 第五章 材料的微观分析 | 第36-43页 |
| 5．1 XRD分析 | 第36-41页 |
| 5．2 SEM和TEM分析 | 第41-43页 |
| 第六章 气敏元件对H_2S敏感机理的探讨 | 第43-47页 |
| 6．1 气敏材料的电导变化机理 | 第43-44页 |
| 6．2 气敏材料的工作机理 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 个人简历 | 第52页 |