摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-34页 |
·非晶态合金 | 第14-28页 |
·非晶态合金的基本特征 | 第14页 |
·非晶态合金的发展简史 | 第14-15页 |
·非晶态合金的玻璃形成能力 | 第15-18页 |
·非晶态合金的制备方法 | 第18-19页 |
·非晶态合金的晶化 | 第19-22页 |
·非晶态合金的晶化转变方式 | 第19-20页 |
·非晶态合金的晶化过程 | 第20-21页 |
·影响非晶晶化的因素 | 第21-22页 |
·Fe-Si-B系非晶态合金简介 | 第22-28页 |
·Fe-Si-B系非晶态合金的发展 | 第22-23页 |
·Fe-Si-B系非晶态合金的成分及结构模型 | 第23-26页 |
·Fe-Si-B系非晶态合金的晶化 | 第26-28页 |
·非晶-纳米晶软磁合金 | 第28-32页 |
·非晶-纳米晶软磁合金的制备 | 第28-29页 |
·非晶-纳米晶软磁合金的微结构特点 | 第29-30页 |
·非晶-纳米晶软磁合金的分类 | 第30-32页 |
·本论文的研究背景、目的及主要研究内容 | 第32-34页 |
·本论文的研究背景和目的 | 第33页 |
·本论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
第二章 经验电子理论概述 | 第34-44页 |
·引言 | 第34页 |
·材料科学电子理论的国内外研究进展 | 第34-36页 |
·余氏理论简介 | 第36-39页 |
·程氏改进的TFD理论简介 | 第39-41页 |
·程氏改进的TFD理论的要点 | 第39-40页 |
·程氏改进的TFD理论与余氏理论(EET)的关系 | 第40-41页 |
·C-Me偏聚理论及相结构因子与界面结合因子简介 | 第41-44页 |
·固相合金中的C-Me偏聚理论的基本观点 | 第41-42页 |
·相结构因子与界面结合因子 | 第42-44页 |
第三章 非晶样品的低频磁脉冲处理及其测试方法 | 第44-52页 |
·脉冲磁场处理 | 第44-45页 |
·试样的温升测量 | 第45-47页 |
·差示扫描量热分析 | 第47页 |
·穆斯堡尔谱分析 | 第47-50页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第50页 |
·透射电镜分析(TEM) | 第50-51页 |
·试样的软磁性能测量 | 第51-52页 |
第四章 低频磁脉冲处理非晶Fe_(78)Si_9B_(13)的微结构研究 | 第52-68页 |
·引言 | 第52页 |
·低频磁脉冲处理前后Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的微结构 | 第52-56页 |
·XRD和TEM观察 | 第52-53页 |
·穆斯堡尔谱的观察 | 第53-56页 |
·低频磁脉冲处理对样品的超精细结构的影响 | 第56-62页 |
·低频磁脉冲处理对样品的穆斯堡尔谱的影响 | 第56-58页 |
·低频磁脉冲处理对样品超精细磁场的影响 | 第58-59页 |
·低频磁脉冲处理对纳米晶组织结构的影响 | 第59-61页 |
·低频磁脉冲参数对纳米晶超精细结构的影响 | 第61-62页 |
·低频磁脉冲处理对样品磁性的影响 | 第62-67页 |
·脉冲频率对磁性的影响 | 第62-63页 |
·脉冲处理时间对磁性的影响 | 第63-64页 |
·脉冲磁场强度对磁性的影响 | 第64-65页 |
·低频磁脉冲处理参数影响磁性的原因 | 第65-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
第五章 低频磁脉冲处理非晶Fe_(78)Si_9B_(13)的相变热力学和动力学研究 | 第68-88页 |
·引言 | 第68页 |
·低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的相变热力学 | 第68-72页 |
·固态相变的热力学条件 | 第68页 |
·相变过程的热力学参数 | 第68-71页 |
·晶界的形成对相变的影响 | 第71-72页 |
·低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的相变动力学 | 第72-79页 |
·低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的相变激活能 | 第72-77页 |
·脉冲处理参数对相变激活能的影响 | 第77-79页 |
·脉冲频率对相变激活能的影响 | 第77-78页 |
·脉冲磁场强度对相变激活能的影响 | 第78-79页 |
·非晶合金成分对相变激活能的影响 | 第79页 |
·低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的结构演化 | 第79-83页 |
·非晶态合金结构弛豫 | 第79-80页 |
·Fe-Si-B系非晶合金磁致低温纳米晶化的结构演化 | 第80-83页 |
·脉冲磁场对非晶晶化行为的影响机理 | 第83-85页 |
·Fe-Si-B非晶合金磁致低温纳米晶化的能量变化 | 第83-84页 |
·Fe-Si-B非晶合金磁致低温纳米晶化的物理机理 | 第84-85页 |
·小结 | 第85-88页 |
第六章 低频磁脉冲处理非晶Fe_(78)Si_9B_(13)的相结构因子和磁性 | 第88-116页 |
·引言 | 第88-89页 |
·低频磁脉冲处理后晶化相的价电子结构和磁矩的计算 | 第89-97页 |
·α-Fe晶胞价电子结构的计算 | 第89-92页 |
·α-Fe的晶态结构资料 | 第89-90页 |
·实验键距 | 第90页 |
·等同键数 | 第90页 |
·键距方程和r_α的计算 | 第90-91页 |
·n_A方程和n_α的计算 | 第91页 |
·理论键距的计算 | 第91页 |
·键距差ΔD_(nα)的计算 | 第91-92页 |
·α-Fe晶胞磁矩的计算 | 第92-93页 |
·α-Fe-Si晶胞价电子结构的计算 | 第93-96页 |
·α-Fe-Si晶胞磁矩的计算 | 第96页 |
·晶化相总磁矩的计算 | 第96-97页 |
·非晶相的价电子结构和磁矩的计算 | 第97-112页 |
·α-Fe晶胞价电子结构的计算 | 第97页 |
·α-Fe晶胞磁矩的计算 | 第97-98页 |
·α-Fe-Si晶胞价电子结构的计算 | 第98页 |
·α-Fe-Si晶胞磁矩的计算 | 第98-99页 |
·α-Fe-B晶胞价电子结构的计算 | 第99-104页 |
·α-Fe-B晶胞磁矩的计算 | 第104页 |
·α-Fe-Si-B晶胞价电子结构的计算 | 第104-110页 |
·α-Fe-Si-B晶胞磁矩的计算 | 第110页 |
·非晶相总磁矩的计算 | 第110-112页 |
·脉冲磁场处理后的双相合金磁矩的计算 | 第112页 |
·理论计算值与实测值比较 | 第112-114页 |
·小结 | 第114-116页 |
第七章 磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)的相界面电子结构及晶化机理的EET探讨 | 第116-128页 |
·引言 | 第116页 |
·异相界面的价电子结构参数 | 第116-117页 |
·非晶相的α-Fe类(110)与α-Fe-Si类(110)界面的电子结构 | 第117-119页 |
·非晶相α-Fe晶胞类(110)面的电子密度 | 第118页 |
·非晶相α-Fe-Si晶胞类(110)面的电子密度 | 第118-119页 |
·非晶相α-Fe类(110)//非晶相α-Fe-Si类(110)界面的电子密度差 | 第119页 |
·非晶相α-Fe类(110)与非晶相α-Fe-B类(110)界面的电子结构 | 第119-120页 |
·非晶相α-Fe-B晶胞类(110)面的电子密度 | 第119-120页 |
·非晶相α-Fe类(110)//非晶相α-Fe-B类(110)界面的电子密度差 | 第120页 |
·非晶相的α-Fe类(110)与α-Fe-Si-B类(110)界面的电子结构 | 第120-121页 |
·非晶相α-Fe-Si-B晶胞类(110)面的电子密度 | 第120-121页 |
·非晶相α-Fe类(110)//非晶相α-Fe-Si-B类(110)界面的电子密度差 | 第121页 |
·非晶相α-Fe类(110)与晶化相α-Fe(110)界面的电子结构 | 第121-122页 |
·晶化相α-Fe晶胞(110)面的电子密度 | 第121-122页 |
·非晶相α-Fe类(110)//晶化相α-Fe(110)界面的电子密度差 | 第122页 |
·非晶相α-Fe类(110)与晶化相α-Fe-Si(110)界面的电子结构 | 第122-123页 |
·晶化相α-Fe-Si晶胞(110)面的电子密度 | 第122-123页 |
·非晶相α-Fe类(110)//晶化相α-Fe-Si(110)界面的电子密度差 | 第123页 |
·晶化相α-Fe(110)与晶化相α-Fe-Si(110)界面的电子结构 | 第123-124页 |
·非晶Fe_(78)Si_9B_(13)合金磁致低温纳米晶化的微观机理 | 第124-126页 |
·电子结构与形核率 | 第124-125页 |
·电子结构与晶粒的生长 | 第125-126页 |
·小结 | 第126-128页 |
第八章 总结论 | 第128-130页 |
参考文献 | 第130-145页 |
致谢 | 第145-146页 |
攻读学位期间发表的论著和科研情况 | 第146-147页 |
作者简历 | 第147页 |