| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章.绪论 | 第11-34页 |
| ·研究背景 | 第11页 |
| ·金属与介质界面处的表面等离波 | 第11-23页 |
| ·Maxwell's方程 | 第11-13页 |
| ·单界面的表面等离激元 | 第13-14页 |
| ·金属的自由电子气模型(Drude模型) | 第14-18页 |
| ·表面等离激元的色散关系及激发方式 | 第18-21页 |
| ·表面等离激元的特征长度 | 第21-23页 |
| ·表面等离激元在SiN_x:Tb~(3+)体系中的应用 | 第23-33页 |
| ·硅基集成光学面临的问题 | 第23-25页 |
| ·SiN_x:Tb~(3+)作为光源在发光效率方面的优势 | 第25-28页 |
| ·SPP在提高光源效率方面的应用 | 第28-31页 |
| ·SPP在突破衍射极限方面的应用 | 第31-33页 |
| ·课题提出与论文组成 | 第33-34页 |
| 第2章.材料的制备与测试设备 | 第34-37页 |
| ·材料的制备设备 | 第34-35页 |
| ·等离子增强气相化学沉积(PECVD)设备 | 第34页 |
| ·离子注入设备 | 第34页 |
| ·磁控溅射和电子束蒸发设备 | 第34-35页 |
| ·热处理设备 | 第35页 |
| ·测试设备 | 第35-37页 |
| ·光致荧光设备 | 第35页 |
| ·紫外-可见吸收谱 | 第35-36页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR) | 第36页 |
| ·椭圆偏振光谱仪 | 第36-37页 |
| 第3章.SiN_x:Tb~(3+)薄膜的制备与光学性能的表征 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·不同硅含量SiN_x薄膜的光学性能 | 第39-40页 |
| ·热处理对SiN_x薄膜的光学性能 | 第40-43页 |
| ·Tb~(3+)离子在氮化硅中的分布 | 第43页 |
| ·SiN_x:Tb~(3+)薄膜的室温光致发光研究 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-47页 |
| 第4章.Si/SiN_x:Tb~(3+)/Ag三层结构的光学性能研究 | 第47-62页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-60页 |
| ·银颗粒的显微结构对SiN_x:Tb~(3+)光学性能的影响 | 第48-52页 |
| ·CPS模型的计算 | 第52-56页 |
| ·耦合距离对辐射复合寿命的影响 | 第56-59页 |
| ·硅纳米晶存在对SPP与Tb~(3+)耦合的影响 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第5章.石英/SiN_x:Tb~(3+)/银三层结构的光学性能 | 第62-73页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-72页 |
| ·透明衬底对SiN_x:Tb~(3+)光致荧光谱的影响 | 第63-67页 |
| ·银岛膜厚度对SiN_x:Tb~(3+)光致荧光谱的影响 | 第67-71页 |
| ·离子注入能量对SPP和SiN_x:Tb~(3+)耦合的影响 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第6章.结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 个人简历 | 第81页 |
