| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-31页 |
| ·ZnO的结构与性能 | 第12-16页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第16-25页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第17-18页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第18-19页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第19页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第19-25页 |
| ·ZnMgO三元合金及其p型掺杂的研究状况 | 第25-30页 |
| ·ZnMgO三元合金的结构 | 第26页 |
| ·ZnMgO薄膜p型掺杂的研究状况 | 第26-28页 |
| ·ZnMgO三元合金的应用 | 第28-30页 |
| ·立题背景、目的和主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第三章 实验设备、薄膜工艺及性能表征 | 第31-40页 |
| ·直流反应磁控溅射技术原理 | 第31-33页 |
| ·实验设备 | 第33-36页 |
| ·实验设备(一) | 第33-35页 |
| ·实验设备(二) | 第35-36页 |
| ·薄膜工艺 | 第36-39页 |
| ·靶材的制备 | 第36-37页 |
| ·衬底及其清洗 | 第37页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第37-39页 |
| ·性能表征 | 第39-40页 |
| 第四章 N_2O作为N掺杂源制备In-N共掺p型ZnO薄膜 | 第40-53页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第40-47页 |
| ·结构分析 | 第41-43页 |
| ·电学性能分析 | 第43-45页 |
| ·薄膜成分与光学性能分析 | 第45-47页 |
| ·N_2O气体流量对薄膜电学性能的影响 | 第47-52页 |
| ·样品制备 | 第47-48页 |
| ·结构分析 | 第48-49页 |
| ·电学性能分析 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 NH_3作为N掺杂源制备In-N共掺p型ZnO薄膜 | 第53-71页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第53-60页 |
| ·结构分析 | 第54-55页 |
| ·电学性能分析 | 第55-58页 |
| ·薄膜的 XPS分析 | 第58-59页 |
| ·光学性能分析 | 第59-60页 |
| ·氧气分压对薄膜结晶质量、光学性能的影响 | 第60-64页 |
| ·结构分析 | 第61页 |
| ·电学性能分析 | 第61-63页 |
| ·光学性能分析 | 第63-64页 |
| ·In含量对薄膜性能的影响 | 第64-70页 |
| ·样品制备 | 第64页 |
| ·结构分析 | 第64-66页 |
| ·电学性能分析 | 第66-67页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第67-68页 |
| ·光学性能分析 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 ZnMgO三元合金薄膜及In-N共掺p型ZnMgO薄膜的制备 | 第71-87页 |
| ·Mg含量对 ZnMgO薄膜性能的影响 | 第72-79页 |
| ·样品制备 | 第72-73页 |
| ·ZnMgO薄膜和靶材中Mg含量的对应关系 | 第73-74页 |
| ·结构分析 | 第74-76页 |
| ·光学性能分析 | 第76-79页 |
| ·Mg含量对In-N共掺p型 ZnMgO薄膜性能的影响 | 第79-84页 |
| ·样品制备 | 第79页 |
| ·结构分析 | 第79-81页 |
| ·电学性能分析 | 第81-82页 |
| ·光学性能分析 | 第82-83页 |
| ·思考与展望 | 第83-84页 |
| ·In-N共掺ZnMgO异质pn结的制备 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第七章 结论 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-96页 |
| 附录I 攻读硕士学位期间发表或录用的论文及专利 | 第96-97页 |
| 附录II 致谢 | 第97页 |
