功率MOSFET新结构及其工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·功率MOSFET的发展概况 | 第8-10页 |
| ·功率MOSFET的发展 | 第8-9页 |
| ·SJ MOSFET结构的出现 | 第9-10页 |
| ·功率MOSFET的市场前景及国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-12页 |
| 2 功率MOSFET的理论分析 | 第12-24页 |
| ·功率MOSFET的类型与特点 | 第12-14页 |
| ·功率MOSFET的结构分类 | 第12-13页 |
| ·VDMOS的结构特点 | 第13-14页 |
| ·工作机理与等效电路 | 第14-15页 |
| ·工作机理 | 第14页 |
| ·等效电路 | 第14-15页 |
| ·特性分析 | 第15-21页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第15-18页 |
| ·阻断特性 | 第18页 |
| ·导通特性 | 第18-19页 |
| ·频率特性 | 第19页 |
| ·开关特性 | 第19-21页 |
| ·温度对VDMOS特性参数的影响 | 第21-23页 |
| ·击穿电压 | 第21页 |
| ·阈值电压 | 第21页 |
| ·跨导 | 第21-22页 |
| ·导通电阻 | 第22页 |
| ·漏极饱和电流 | 第22页 |
| ·开关速度 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 VDMOS的特性模拟与优化设计 | 第24-36页 |
| ·VDMOS的特性模拟 | 第24-30页 |
| ·外延层参数的选取 | 第24-26页 |
| ·栅极参数的选取 | 第26-29页 |
| ·元胞图形的选取 | 第29-30页 |
| ·高温特性的模拟 | 第30-35页 |
| ·高温对阻断特性的影响 | 第30-31页 |
| ·高温对导通特性的影响 | 第31-33页 |
| ·高温对开关特性的影响 | 第33-34页 |
| ·高温对安全工作区的影响 | 第34页 |
| ·改善温度特性的方法 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 TPMOS结构的特性分析 | 第36-50页 |
| ·TPMOS结构的提出及其特点 | 第36-37页 |
| ·TPMOS特性分析 | 第37-43页 |
| ·TPMOS阻断特性分析 | 第37-40页 |
| ·TPMOS导通特性分析 | 第40-42页 |
| ·TPMOS开关特性分析 | 第42-43页 |
| ·与VDMOS特性的比较 | 第43-45页 |
| ·阻断特性比较 | 第43-44页 |
| ·导通特性比较 | 第44页 |
| ·开关特性比较 | 第44-45页 |
| ·TPMOS其他参数的选取 | 第45-47页 |
| ·槽形对TPMOS特性的影响 | 第47-49页 |
| ·阻断特性比较 | 第47-48页 |
| ·导通特性比较 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 功率MOSFET的工艺分析与模拟 | 第50-57页 |
| ·VDMOS的工艺分析与模拟 | 第50-54页 |
| ·工艺分析 | 第50页 |
| ·工艺模拟 | 第50-52页 |
| ·模拟结果验证 | 第52-53页 |
| ·工艺实施方案 | 第53-54页 |
| ·TPMOS的工艺实现 | 第54-56页 |
| ·工艺分析 | 第54页 |
| ·模拟结果验证 | 第54-55页 |
| ·工艺实施方案 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 附录:在读期间发表论文 | 第61页 |
