Cr（Co）掺杂Ge（Si）基稀磁半导体的制备与磁性研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·稀释磁性半导体概述 | 第8-9页 |
| ·Ge/Si 基稀磁半导体的研究历史和现状 | 第9-12页 |
| ·本论文选题依据和主要工作 | 第12-14页 |
| 2 样品的制备与表征 | 第14-17页 |
| ·样品的制备 | 第14-15页 |
| ·超高真空多功能对靶磁控溅射镀膜设备简介 | 第14页 |
| ·基片的清洗过程 | 第14-15页 |
| ·样品的制备过程 | 第15页 |
| ·样品性能表征 | 第15-17页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第15页 |
| ·X 射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第15页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第15页 |
| ·扫描探针显微镜(SPM) | 第15-16页 |
| ·I-V 特性曲线 | 第16页 |
| ·物理性能测量系统(PPMS-9) | 第16-17页 |
| 3 Cr:Ge 薄膜的结构、电学和磁学性质研究 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·样品的制备与表征 | 第17页 |
| ·Cr_xGe_(1-x) 薄膜的结果与讨论 | 第17-23页 |
| ·样品结构和化学价态分析 | 第17-20页 |
| ·样品的磁学性质 | 第20-21页 |
| ·样品的电输运性质 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 4 Cr:Si 薄膜的制备、结构与磁性研究 | 第25-30页 |
| ·样品的制备与表征 | 第25页 |
| ·Cr_xSi_(1-x) 薄膜的结果与讨论 | 第25-29页 |
| ·样品的结构分析 | 第25-28页 |
| ·样品中元素的化学价态 | 第28-29页 |
| ·样品的磁学性质 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 5 Co:Si 薄膜的制备、结构与性能研究 | 第30-36页 |
| ·样品的制备与表征 | 第30页 |
| ·Co_xSi_(1-x) 薄膜的结果与讨论 | 第30-35页 |
| ·样品的结构、化学价态及形貌分析 | 第30-32页 |
| ·样品的输运性质 | 第32-33页 |
| ·样品的磁学性质 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 结论 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果清单 | 第47页 |
