| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 一 引言 | 第9-13页 |
| ·稀释磁性半导体的概述 | 第9-11页 |
| ·稀磁半导体的磁性机制 | 第9页 |
| ·Ⅳ族基稀磁半导体的研究概述 | 第9-11页 |
| ·本文的选题依据与主要研究工作 | 第11-13页 |
| 二 薄膜的制备及表征手段 | 第13-18页 |
| ·离子注入设备介绍 | 第13-14页 |
| ·考夫曼离子(Kaufman)源 | 第13-14页 |
| ·金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源 | 第14页 |
| ·IBAD-600 多功能离子注入与离子束溅射设备 | 第14-15页 |
| ·离子注入设备的基本参数和功能 | 第14-15页 |
| ·各个离子源的工作原理 | 第15页 |
| ·离子注入技术在工业生产中的应用 | 第15页 |
| ·样品的表征方法 | 第15-18页 |
| ·表征样品特性的主要方法 | 第15-16页 |
| ·物理性能测量系统(PPMS)介绍 | 第16-18页 |
| 三 Fe 掺杂的 Ge_(1-x)Fe_x薄膜的结构及磁性 | 第18-24页 |
| ·薄膜样品制备 | 第18页 |
| ·样品的结构特征、元素价态及掺杂元素的周围环境 | 第18-21页 |
| ·样品的磁学特性 | 第21-22页 |
| ·本章总结 | 第22-24页 |
| 四 Fe、N 离子共注入 Si 样品的结构及磁性 | 第24-32页 |
| ·样品的制备 | 第24页 |
| ·样品的结构特征、形貌及其微结构 | 第24-28页 |
| ·样品的磁特性及输运特性 | 第28-31页 |
| ·本章结论 | 第31-32页 |
| 五 Cu 离子注入 Si 半导体的铁磁性 | 第32-40页 |
| ·样品的制备 | 第32页 |
| ·样品的结构特征及其元素微结构 | 第32-35页 |
| ·样品的磁特性及其输运性质 | 第35-38页 |
| ·本章结论 | 第38-40页 |
| 六 结论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间科研成果 | 第51页 |