首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--一般性问题论文--基础理论论文--微波与超高频技术论文

高功率微波窗口击穿及馈源技术

摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-21页
   ·问题的提出第12-14页
   ·研究现状第14-17页
   ·HPM输出窗研究中存在难点及存在问题第17-18页
   ·本论文研究内容第18-21页
第二章 介质击穿的一般过程描述及理论分析第21-35页
   ·击穿的几种物理机制描述第22-30页
   ·单极性(介质)表面击穿第30-32页
   ·两种击穿模型及其分析第32-35页
第三章 介质表面特性分析第35-56页
   ·介质击穿实验材料制备第36-37页
   ·表面组分分析第37-41页
   ·介质材料表面光学分析第41-43页
   ·介质窗材料基本介电参数实验分析第43-46页
   ·不同材料表面陷阱参数测量第46-48页
   ·介质表面电荷沉积现象及宏观形貌分析第48-54页
   ·本章结论第54-56页
第四章 矩形波导口介质窗击穿实验研究第56-71页
   ·波导口介质输出窗击穿的实验装置第58-59页
   ·实验材料及制备工艺第59页
   ·击穿过程中的紫外线和击穿判据第59-60页
   ·实验现象与分析第60-66页
   ·介质窗的表面现象诊断第66-68页
   ·波导口击穿过程及现象描述第68-70页
   ·本章小结第70-71页
第五章 GW级HPM介质输出窗击穿及树枝状破坏第71-89页
   ·实验设计第71-77页
   ·实验结果及分析第77-86页
   ·介质窗击穿机理讨论第86-88页
   ·本章小节第88-89页
第六章 高效率馈源及馈线研究第89-122页
   ·高功率容量馈源技术研究第91-97页
   ·HPM馈源设计实例第97-110页
   ·圆波导弯头及模式转换器第110-117页
   ·一种功率容量大于1GW的旋转关节第117-120页
   ·本章小节第120-122页
第七章 结论第122-124页
致谢第124-125页
参考文献第125-133页
攻读博士学位期间的研究成果第133-134页

论文共134页,点击 下载论文
上一篇:考虑工艺波动的互连线模型研究
下一篇:4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究