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多硫化铟复合半导体光催化剂的制备及性能研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-22页
    1.1 引言第11页
    1.2 光催化简介第11-16页
        1.2.1 光催化基本原理第11-13页
        1.2.2 光催化的应用第13-14页
        1.2.3 影响光催化活性的因素第14-15页
        1.2.4 光催化发展的制约因素第15-16页
    1.3 提高光催化活性的方法第16-19页
        1.3.1 形貌控制第16页
        1.3.2 粒径控制第16页
        1.3.3 贵金属沉积第16-17页
        1.3.4 离子掺杂第17-18页
        1.3.5 半导体复合第18页
        1.3.6 光敏化第18-19页
    1.4 铟基光催化材料的研究进展第19-20页
        1.4.1 In_2O_3的研究进展第19页
        1.4.2 In_2S_3的研究进展第19-20页
        1.4.3 ZnIn_2S_4的研究进展第20页
    1.5 本论文选题的目的及意义第20-22页
第二章 WO_3/ZnIn_2S_4复合光催化剂的制备和性能研究第22-34页
    2.1 引言第22-23页
    2.2 实验部分第23-25页
        2.2.1 实验试剂和仪器第23-24页
        2.2.3 光催化材料的制备第24页
        2.2.4 实验表征方法第24-25页
        2.2.5 光催化活性实验第25页
    2.3 结果分析与讨论第25-33页
        2.3.1 WO_3/ZnIn_2S_4材料的表征分析第25-30页
        2.3.2 WO_3/ZnIn_2S_4材料的光催化测试分析第30-32页
        2.3.3 WO_3/ZnIn_2S_4材料的光催化机理分析第32-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 V_2O_5/In_2S_3复合光催化剂的制备和性能研究第34-46页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验部分第35-37页
        3.2.1 实验试剂和仪器第35页
        3.2.2 样品制备第35-36页
        3.2.3 实验表征第36页
        3.2.4 光催化活性实验第36-37页
    3.3 结果与讨论第37-45页
        3.3.1 V_2O_5/In_2S_3材料的表征分析第37-41页
        3.3.2 V_2O_5/In_2S_3材料的光催化测试分析第41-44页
        3.3.3 V_2O_5/In_2S_3材料的光催化机理分析第44-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第四章 V_2O_5/In_2S_3/RGO复合光催化剂的制备和性能研究第46-57页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 实验部分第47-49页
        4.2.1 实验试剂和仪器第47页
        4.2.3 样品制备第47-48页
        4.2.4 实验表征第48页
        4.2.5 光催化活性实验第48-49页
    4.3 结果与讨论第49-56页
        4.3.1 V_2O_5/In_2S_3/RGO材料的表征分析第49-52页
        4.3.2 V_2O_5/In_2S_3/RGO材料的光催化测试分析第52-55页
        4.4.3 V_2O_5/In_2S_3/RGO材料的光催化机理分析第55-56页
    4.4 本章小结第56-57页
第五章 总结与展望第57-59页
参考文献第59-71页
致谢第71-72页
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果第72页

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