TFT-LCD残像不良改善研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 前言 | 第12页 |
| 1.2 选题背景和意义 | 第12-14页 |
| 1.3 残像机理说明 | 第14-15页 |
| 1.3.1 短期残像发生机理 | 第14页 |
| 1.3.2 长期残像发生机理 | 第14-15页 |
| 1.4 残像的判定准则 | 第15页 |
| 1.5 残像研究的内容与方法 | 第15-18页 |
| 1.5.1 TFT-LCD样品的制作工艺 | 第15-17页 |
| 1.5.2 残像研究的内容与方法 | 第17-18页 |
| 第二章 画素设计与面板驱动对残像改善 | 第18-31页 |
| 2.1 画素设计与面板驱动对残像改善引言 | 第18-19页 |
| 2.2 原因分析与改善 | 第19-22页 |
| 2.2.1 耦合电压 | 第19-20页 |
| 2.2.2 低灰阶色偏 | 第20-22页 |
| 2.3 设计与驱动实验内容 | 第22-25页 |
| 2.3.1 调整公共极电压,改善耦合电压 | 第22-23页 |
| 2.3.2 灰阶补正,改善耦合电压 | 第23-24页 |
| 2.3.3 调整电容压降,改善耦合电压 | 第24-25页 |
| 2.4 设计驱动实验结果与讨论 | 第25-30页 |
| 2.4.1 调整电容压降,改善耦合电压 | 第25-27页 |
| 2.4.2 灰阶补正,改善耦合电压 | 第27页 |
| 2.4.3 调整电容压降,改善低灰阶色偏 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 制程对残像改善 | 第31-47页 |
| 3.1 制程对残像改善引言 | 第31-33页 |
| 3.2 制程改善实验目的 | 第33-34页 |
| 3.3 制程改善实验内容 | 第34-38页 |
| 3.3.1 TFT氮化硅膜层改善漏电流实验 | 第34-36页 |
| 3.3.2 非晶硅残膜厚度改善漏电流实验 | 第36-37页 |
| 3.3.3 光电流验证实验 | 第37-38页 |
| 3.4 制程改善实验结果与讨论 | 第38-46页 |
| 3.4.1 TFT氮化硅改善漏电流实验 | 第38-41页 |
| 3.4.2 非晶硅残膜厚度改善漏电流实验 | 第41-43页 |
| 3.4.3 光电流验证实验 | 第43-45页 |
| 3.4.4 制程改善效果 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 材料对残像改善 | 第47-63页 |
| 4.1 材料对残像改善引言 | 第47-48页 |
| 4.1.1 彩膜材料离子污染 | 第47页 |
| 4.1.2 成盒配向膜材料离子污染 | 第47页 |
| 4.1.3 框胶材料离子污染 | 第47-48页 |
| 4.1.4 液晶材料离子污染 | 第48页 |
| 4.1.5 剥离清洗离子污染 | 第48页 |
| 4.2 实验材料介绍 | 第48-52页 |
| 4.2.1 配向材料 | 第48-49页 |
| 4.2.2 液晶材料 | 第49-51页 |
| 4.2.3 剥离液材料 | 第51-52页 |
| 4.3 实验材料验证目的 | 第52-53页 |
| 4.4 实验材料内容 | 第53-56页 |
| 4.4.1 配向膜材料 | 第53-54页 |
| 4.4.2 液晶材料 | 第54-56页 |
| 4.4.3 剥离材料 | 第56页 |
| 4.5 实验材料结果与讨论 | 第56-61页 |
| 4.5.1 配向膜材料 | 第56-58页 |
| 4.5.2 液晶材料 | 第58-59页 |
| 4.5.3 液晶材料改版实验 | 第59-60页 |
| 4.5.4 剥离液材料 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第70页 |
