TFT混切技术的干蚀刻制程工艺优化研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 TFT-LCD制程及显示原理 | 第12-18页 |
| 1.2.1 TFT-LCD的构造 | 第13-14页 |
| 1.2.2 TFT-LCD的主要制程 | 第14-18页 |
| 1.3 MMG技术工艺 | 第18-22页 |
| 1.3.1 MMG背景介绍 | 第18-20页 |
| 1.3.2 MMG技术介绍 | 第20页 |
| 1.3.3 MMG工艺流程 | 第20页 |
| 1.3.4 MMG产品尺寸设计 | 第20-21页 |
| 1.3.5 MMG产品生产常见问题 | 第21-22页 |
| 1.4 MMG产品干蚀刻工艺 | 第22-25页 |
| 1.4.1 干蚀刻原理 | 第22-24页 |
| 1.4.2 干蚀刻工艺分类 | 第24页 |
| 1.4.3 MMG产品干蚀刻工艺差异 | 第24-25页 |
| 1.5 干蚀刻均一性对TFT性能的影响 | 第25-26页 |
| 1.6 课题研究意义 | 第26-27页 |
| 1.7 本论文研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 实验制备与表征方法 | 第28-33页 |
| 2.1 实验制备技术 | 第28-30页 |
| 2.1.1 化学气相沉积(CVD) | 第28页 |
| 2.1.2 干蚀刻技术 | 第28-30页 |
| 2.2 表征分析方法 | 第30-33页 |
| 2.2.1 膜厚量测 | 第30-31页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.2.3 TFT电性测试检查 | 第31-33页 |
| 第三章 纯切产品干蚀刻制程工艺研究 | 第33-42页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验原理 | 第33-34页 |
| 3.3 纯切产品干蚀刻实验DOE | 第34-35页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第34页 |
| 3.3.2 实验条件DOE | 第34-35页 |
| 3.4 结果分析 | 第35-37页 |
| 3.5 最优结果验证 | 第37-40页 |
| 3.5.1 膜厚量测 | 第38-39页 |
| 3.5.2 SEM观察 | 第39-40页 |
| 3.5.3 电学特性量测 | 第40页 |
| 3.5.4 最优条件验证结果分析 | 第40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 混切产品干蚀刻制程工艺研究 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 实验原理 | 第42页 |
| 4.3 MMG混切产品干蚀刻实验DOE | 第42-45页 |
| 4.3.1 MMG混切产品参数验证 | 第42-44页 |
| 4.3.2 样品制备 | 第44页 |
| 4.3.3 实验条件DOE | 第44-45页 |
| 4.4 试验设计结果分析 | 第45-48页 |
| 4.5 最优条件验证 | 第48-52页 |
| 4.5.1 膜厚量测 | 第48-50页 |
| 4.5.2 SEM观察 | 第50页 |
| 4.5.3 电学特性量测 | 第50-52页 |
| 4.5.4 最优条件验证结果分析 | 第52页 |
| 4.6 MMG混切产品设计面优化 | 第52-55页 |
| 4.6.1 MMG尺寸排版优化 | 第52-54页 |
| 4.6.2 外围摆放无效的像素图案 | 第54-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附件 | 第64页 |
