| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 二维材料介绍 | 第11-17页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第11-13页 |
| 1.1.2 六方氮化硼 | 第13-14页 |
| 1.1.3 黑磷 | 第14-17页 |
| 1.2 二维过渡金属材料 | 第17-22页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物 | 第17-20页 |
| 1.2.2 二维过渡金属氧化物 | 第20-22页 |
| 1.3 二维过渡金属化合物材料应用 | 第22-24页 |
| 1.4 本课题提出的背景与意义 | 第24-27页 |
| 第2章 二维过渡金属材料的制备和表征 | 第27-43页 |
| 2.1 二维过渡金属薄膜材料的制备方法 | 第27-38页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第27-29页 |
| 2.1.2 超声波液相剥离法 | 第29-30页 |
| 2.1.3 离子插层/电化学剥离法 | 第30-32页 |
| 2.1.4 热溶液合成法 | 第32页 |
| 2.1.5 化学气相沉积生长法 | 第32-34页 |
| 2.1.6 物理气相沉积生长法 | 第34-36页 |
| 2.1.7 分子束外延生长法 | 第36-38页 |
| 2.2 表征方法介绍 | 第38-43页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱技术 | 第38-39页 |
| 2.2.2 扫描隧道显微镜技术 | 第39-41页 |
| 2.2.3 同步辐射技术在低维材料研究中的应用 | 第41-43页 |
| 第3章 新型二维NiSe_2薄膜材料的制备研究 | 第43-55页 |
| 3.1 样品制备 | 第44-45页 |
| 3.2 形貌与结构表征 | 第45-48页 |
| 3.3 光电子能谱分析 | 第48-52页 |
| 3.4 DFT计算模拟 | 第52-54页 |
| 3.5 小结 | 第54-55页 |
| 第4章 一步法制备厘米级α-MoO_3薄膜材料 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 样品制备以及表征手段 | 第57-58页 |
| 4.3 样品表征 | 第58-64页 |
| 4.4 应用研究 | 第64-65页 |
| 4.5 小结 | 第65-67页 |
| 第5章 酞菁钴有机分子薄膜与Bi(111)半金属衬底界面间电子相互作用的研究 | 第67-81页 |
| 5.1 引言 | 第67-68页 |
| 5.2 样品制备 | 第68-69页 |
| 5.3 XPS光电子谱分析 | 第69-75页 |
| 5.4 DFT计算模拟 | 第75-76页 |
| 5.5 紫外光电子能谱(UPS)分析 | 第76-79页 |
| 5.6 小结 | 第79-81页 |
| 第6章 总结与展望 | 第81-85页 |
| 参考文献 | 第85-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第101页 |