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含钍化合物的电子结构与化学键研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第11-22页
    1.1 研究背景第11-13页
    1.2 钍元素的电子结构第13-15页
    1.3 国内外研究现状第15-19页
    1.4 本论文主要研究内容第19-22页
第2章 实验原理与计算方法第22-33页
    2.1 负离子光电子能谱基本原理第22-23页
    2.2 负离子光电子速度成像基本原理第23-28页
    2.3 锕系化合物的量子化学计算方法第28-29页
    2.4 化学键分析方法第29-31页
        2.4.1 电荷布居分析第30页
        2.4.2 自然键轨道理论第30页
        2.4.3 适应性自然密度划分理论第30-31页
    2.5 本论文使用的量子化学计算软件第31-33页
第3章 ThO_x(x=1-3)的电子结构与化学键研究第33-62页
    3.1 引言第33-34页
    3.2 ThO第34-46页
        3.2.1 实验结果第34-37页
        3.2.2 理论分析第37-46页
    3.3 ThO_2第46-53页
        3.3.1 实验结果第46-49页
        3.3.2 理论分析第49-53页
    3.4 ThO_3第53-57页
        3.4.1 实验结果第53-54页
        3.4.2 理论分析第54-57页
    3.5 ThO_x(x=1-3)的化学键比较第57-60页
    3.6 结束语第60-62页
第 4 章 ThC、ThN 的电子结构与化学键研究第62-77页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 ThC第63-68页
        4.2.1 实验结果第63-64页
        4.2.2 理论分析第64-68页
    4.3 ThN第68-73页
        4.3.1 实验结果第68-70页
        4.3.2 理论分析第70-73页
    4.4 ThM (M = C、N、O)的化学键比较第73-75页
    4.5 结束语第75-77页
第5章 ThF_x(x=1、3)的电子结构与化学键研究第77-90页
    5.1 引言第77页
    5.2 ThF第77-82页
        5.2.1 实验结果第77-79页
        5.2.2 理论分析第79-82页
    5.3 ThF3第82-88页
        5.3.1 实验结果第82-83页
        5.3.2 理论分析第83-88页
    5.4 结束语第88-90页
第 6 章 EThF_2(E = O、S、Se、Te)的化学键研究第90-103页
    6.1 引言第90页
    6.2 理论分析第90-100页
        6.2.1 构型优化第91-94页
        6.2.2 化学键分析第94-100页
    6.3 结束语第100-101页
    6.4 附录第101-103页
第7章 总结与展望第103-106页
    7.1 总结第103-104页
    7.2 展望第104-106页
参考文献第106-126页
致谢第126-127页
作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第127-128页

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