摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 UV-LED的研究背景 | 第12-16页 |
1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料概述 | 第16-20页 |
1.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的特性 | 第16-17页 |
1.2.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的极化效应 | 第17-20页 |
1.3 非极性Ⅲ族氮化物半导体材料的研究现状 | 第20-21页 |
1.4 非极性Ⅲ族氮化物半导体材料存在的主要问题 | 第21-22页 |
1.5 本文主要研究内容及创新点 | 第22-26页 |
第二章 MOCVD外延生长技术与材料表征方法 | 第26-44页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 MOCVD外延生长技术 | 第26-30页 |
2.2.1 MOCVD系统简介 | 第26-28页 |
2.2.2 MOCVD化学反应动力学 | 第28-30页 |
2.2.3 MOCVD的生长过程 | 第30页 |
2.3 材料表征方法 | 第30-42页 |
2.3.1 紫外-可见分光光度计 | 第30-32页 |
2.3.2 高分辨率X射线衍射仪 | 第32-36页 |
2.3.3 场发射扫描电子显微镜 | 第36页 |
2.3.4 透射电子显微镜 | 第36-37页 |
2.3.5 原子力显微镜 | 第37-39页 |
2.3.6 拉曼散射光谱 | 第39-40页 |
2.3.7 光致发光光谱 | 第40-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-44页 |
第三章 含有插入层的非极性GaN和AlGaN材料的生长与表征 | 第44-62页 |
3.1 引言 | 第44页 |
3.2 利用SiN_x插入层生长非极性GaN材料的研究 | 第44-48页 |
3.2.1 利用SiN_x插入层生长非极性GaN外延层 | 第44-46页 |
3.2.2 含有SiN_x插入层的非极性GaN外延层的性质研究 | 第46-48页 |
3.3 利用MgN/AlGaN插入层生长非极性AlGaN材料的研究 | 第48-55页 |
3.3.1 利用MgN/AlGaN插入层生长非极性AlGaN外延层 | 第48-49页 |
3.3.2 含有MgN/AlGaN插入层的非极性AlGaN外延层的性质研究 | 第49-55页 |
3.4 利用MgN成核层生长非极性AlGaN材料的研究 | 第55-59页 |
3.4.1 利用MgN成核层生长非极性AlGaN外延层 | 第55页 |
3.4.2 含有MgN成核层的非极性AlGaN外延层的性质研究 | 第55-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-62页 |
第四章 非极性AlGaN材料的脉冲生长与表征 | 第62-72页 |
4.1 引言 | 第62页 |
4.2 利用双路脉冲法生长非极性AlGaN材料的研究 | 第62-70页 |
4.2.1 利用双路脉冲法生长非极性AlGaN外延层 | 第63-65页 |
4.2.2 利用双路脉冲法生长的非极性AlGaN外延层的性质研究 | 第65-70页 |
4.3 本章小结 | 第70-72页 |
第五章 采用In作表面活性剂的非极性AlGaN材料的生长与表征 | 第72-80页 |
5.1 引言 | 第72页 |
5.2 利用In作表面活性剂生长非极性AlGaN材料的研究 | 第72-78页 |
5.2.1 利用In作表面活性剂生长非极性AlGaN外延层 | 第72-74页 |
5.2.2 利用In作表面活性剂生长的非极性AlGaN外延层的性质研究 | 第74-78页 |
5.3 本章小结 | 第78-80页 |
第六章 总结与展望 | 第80-84页 |
6.1 全文工作总结 | 第80-81页 |
6.2 未来工作展望 | 第81-84页 |
致谢 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-98页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第98页 |