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非极性AlGaN材料的MOCVD生长及表征

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第12-26页
    1.1 UV-LED的研究背景第12-16页
    1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料概述第16-20页
        1.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的特性第16-17页
        1.2.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的极化效应第17-20页
    1.3 非极性Ⅲ族氮化物半导体材料的研究现状第20-21页
    1.4 非极性Ⅲ族氮化物半导体材料存在的主要问题第21-22页
    1.5 本文主要研究内容及创新点第22-26页
第二章 MOCVD外延生长技术与材料表征方法第26-44页
    2.1 引言第26页
    2.2 MOCVD外延生长技术第26-30页
        2.2.1 MOCVD系统简介第26-28页
        2.2.2 MOCVD化学反应动力学第28-30页
        2.2.3 MOCVD的生长过程第30页
    2.3 材料表征方法第30-42页
        2.3.1 紫外-可见分光光度计第30-32页
        2.3.2 高分辨率X射线衍射仪第32-36页
        2.3.3 场发射扫描电子显微镜第36页
        2.3.4 透射电子显微镜第36-37页
        2.3.5 原子力显微镜第37-39页
        2.3.6 拉曼散射光谱第39-40页
        2.3.7 光致发光光谱第40-42页
    2.4 本章小结第42-44页
第三章 含有插入层的非极性GaN和AlGaN材料的生长与表征第44-62页
    3.1 引言第44页
    3.2 利用SiN_x插入层生长非极性GaN材料的研究第44-48页
        3.2.1 利用SiN_x插入层生长非极性GaN外延层第44-46页
        3.2.2 含有SiN_x插入层的非极性GaN外延层的性质研究第46-48页
    3.3 利用MgN/AlGaN插入层生长非极性AlGaN材料的研究第48-55页
        3.3.1 利用MgN/AlGaN插入层生长非极性AlGaN外延层第48-49页
        3.3.2 含有MgN/AlGaN插入层的非极性AlGaN外延层的性质研究第49-55页
    3.4 利用MgN成核层生长非极性AlGaN材料的研究第55-59页
        3.4.1 利用MgN成核层生长非极性AlGaN外延层第55页
        3.4.2 含有MgN成核层的非极性AlGaN外延层的性质研究第55-59页
    3.5 本章小结第59-62页
第四章 非极性AlGaN材料的脉冲生长与表征第62-72页
    4.1 引言第62页
    4.2 利用双路脉冲法生长非极性AlGaN材料的研究第62-70页
        4.2.1 利用双路脉冲法生长非极性AlGaN外延层第63-65页
        4.2.2 利用双路脉冲法生长的非极性AlGaN外延层的性质研究第65-70页
    4.3 本章小结第70-72页
第五章 采用In作表面活性剂的非极性AlGaN材料的生长与表征第72-80页
    5.1 引言第72页
    5.2 利用In作表面活性剂生长非极性AlGaN材料的研究第72-78页
        5.2.1 利用In作表面活性剂生长非极性AlGaN外延层第72-74页
        5.2.2 利用In作表面活性剂生长的非极性AlGaN外延层的性质研究第74-78页
    5.3 本章小结第78-80页
第六章 总结与展望第80-84页
    6.1 全文工作总结第80-81页
    6.2 未来工作展望第81-84页
致谢第84-86页
参考文献第86-98页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第98页

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