| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO基稀磁半导体研究进展 | 第10-15页 |
| 1.3 本文选题依据及内容概要 | 第15-17页 |
| 2 ZnO基稀磁半导体的理论基础与制备 | 第17-25页 |
| 2.1 稀磁半导体简介 | 第17-18页 |
| 2.2 ZnO的基本特征 | 第18-19页 |
| 2.3 ZnO基稀磁半导体磁性的理论基础 | 第19-21页 |
| 2.4 样品的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.5 样品的测试分析 | 第23-25页 |
| 3 Zn_(1-x)Co_xO基稀磁半导体的研究 | 第25-35页 |
| 3.1 烧结温度对Zn_(1-x)Co_xO基稀磁半导体的影响 | 第25-31页 |
| 3.2 掺杂浓度对Zn_(1-x)Co_xO基稀磁半导体的影响 | 第31-35页 |
| 4 Zn_(1-x)Co_xO基稀磁半导体注入Al~(3+)后的性能研究 | 第35-49页 |
| 4.1 离子注入Al~(3+)对晶相结构的影响 | 第35-40页 |
| 4.2 离子注入Al~(3+)对磁学特性的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 Zn_(1-x)Co_xO注入Al~(3+)后的电学特性分析 | 第42-49页 |
| 5 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
