| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 长余辉发光材料的概述 | 第13-14页 |
| 1.3 长余辉发光材料的分类 | 第14-15页 |
| 1.4 长余辉材料的发展历史 | 第15-16页 |
| 1.5 长余辉发光材料的发光机理 | 第16-20页 |
| 1.5.1 空穴转移模型 | 第17-18页 |
| 1.5.2 位移坐标模型 | 第18-19页 |
| 1.5.3 能量转移模型 | 第19-20页 |
| 1.5.4 隧穿效应模型 | 第20页 |
| 1.6 影响长余辉材料发光性能的因素 | 第20-22页 |
| 1.6.1 基质的组成和晶格结构 | 第21页 |
| 1.6.2 能量传递 | 第21页 |
| 1.6.3 浓度猝灭 | 第21页 |
| 1.6.4 温度猝灭 | 第21-22页 |
| 1.7 长余辉发光材料的制备方法 | 第22-24页 |
| 1.7.1 高温固相法 | 第22页 |
| 1.7.2 燃烧合成法 | 第22-23页 |
| 1.7.3 水热法 | 第23页 |
| 1.7.4 溶胶-凝胶法 | 第23页 |
| 1.7.5 微波法 | 第23-24页 |
| 1.7.6 其他的制备方法 | 第24页 |
| 1.8 近红外长余辉的研究现状 | 第24-25页 |
| 1.9 课题的研究的目的与内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设计与表征测试 | 第26-35页 |
| 2.1 实验原料及其作用 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器设备 | 第27页 |
| 2.3 样品的制备 | 第27-30页 |
| 2.3.1 KBR锭剂成形器(压片机) | 第28-29页 |
| 2.3.2 高温烧结炉 | 第29-30页 |
| 2.4 样品的表征 | 第30-35页 |
| 2.4.1 样品的发光性能表征 | 第30-32页 |
| 2.4.2 样品的物相分析 | 第32-34页 |
| 2.4.3 样品的热释光曲线测试 | 第34-35页 |
| 第三章 Zn-Ga-Ge-O体系近红外发光材料的发光特性研究 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 Cr_2O_3掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发光性能的影响 | 第36-42页 |
| 3.2.1 Cr_2O_3掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)物相的影响 | 第36页 |
| 3.2.2 Cr_2O_3掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)激发光谱的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 Cr_2O_3掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发射光谱的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.4 Cr_2O_3掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)余辉性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.5 ZnGa_2O_4:Cr~(3+)的热释光特性 | 第41-42页 |
| 3.3 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发光性能的影响 | 第42-48页 |
| 3.3.1 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)物相的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)激发光谱的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.3 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发射光谱的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.4 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)余辉性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.5 GeO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)热释光性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Zn-Ga-Sn-O体系近红外发光材料的发光特性研究 | 第49-61页 |
| 4.1 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发光性能的影响 | 第49-55页 |
| 4.1.1 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)物相的影响 | 第49-51页 |
| 4.1.2 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)激发光谱的影响 | 第51页 |
| 4.1.3 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)发射光谱的影响 | 第51-52页 |
| 4.1.4 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)余辉性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.1.5 SnO_2掺杂量对ZnGa_2O_4:Cr~(3+)热释光性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.2 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)发光性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.2.1 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)物相的影响 | 第55页 |
| 4.2.2 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)激发光谱的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.3 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)发射光谱的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.4 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)余辉性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.5 Bi_2O_3掺杂量对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Sn_(0.1)O_4:Cr~(3+)释光性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录 | 第71页 |
