| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展及应用 | 第12-13页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的工作原理及结构 | 第13-15页 |
| 1.3.1 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的基本结构 | 第14-15页 |
| 1.4 有机薄膜晶体管性能的基本参数 | 第15-18页 |
| 1.5 有机薄膜晶体管中源极和漏极的制备工艺 | 第18-20页 |
| 1.5.1 湿刻法 | 第18-19页 |
| 1.5.2 剥离法 | 第19-20页 |
| 1.5.3 掩膜板蒸镀法 | 第20页 |
| 1.6 本文的研究内容及章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 新型绝缘材料的介绍以及电学性能的优化 | 第21-30页 |
| 2.1 新型绝缘材料的介绍 | 第21页 |
| 2.2 新型绝缘材料的介电常数 | 第21-24页 |
| 2.2.1 准备测试样品 | 第21-23页 |
| 2.2.2 测试结果 | 第23-24页 |
| 2.3 新型绝缘材料的电学特性优化 | 第24-29页 |
| 2.3.1 感光剂PAG290含量配比 | 第24-26页 |
| 2.3.2 曝光时间和烘烤时间的优化 | 第26-27页 |
| 2.3.3 单层与双层绝缘层的对比 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 源极和漏极的制备工艺对有机薄膜晶体管的影响 | 第30-49页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 器件结构的选择 | 第30-31页 |
| 3.3 实验中所用到的有机半导体材料介绍 | 第31-32页 |
| 3.4 剥离法制备源极和漏极对有机薄膜晶体管性能影响的研究 | 第32-38页 |
| 3.4.1 采用剥离法的底栅底接触薄膜晶体管制备过程 | 第32-35页 |
| 3.4.2 剥离法制备源漏电极的有机薄膜晶体管性能测试结果 | 第35-38页 |
| 3.5 湿刻法制备源极和漏极对有机薄膜晶体管性能影响的研究 | 第38-43页 |
| 3.5.1 采用湿刻法的底栅底接触薄膜晶体管制备过程 | 第38-40页 |
| 3.5.2 湿刻法制备源漏电极的有机薄膜晶体管性能测试结果 | 第40-43页 |
| 3.6 剥离法与湿刻法制备有机薄膜晶体管性能的对比 | 第43-46页 |
| 3.7 传统剥离法制备源极和漏极的改进方法 | 第46-48页 |
| 3.8 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 源极和漏极的材料对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 不同金属作为源极和漏极材料 | 第49-53页 |
| 4.2.1 采用金作为源漏电极材料 | 第49-52页 |
| 4.2.2 采用银作为源漏电极材料 | 第52-53页 |
| 4.3 解决金电极迟滞现象的方法 | 第53-59页 |
| 4.3.1 采用剥离法制备源极和漏极 | 第53-54页 |
| 4.3.2 采用混合材料制备源极和漏极 | 第54-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第60页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第67-71页 |
