硅材料半导体器件基本模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 半导体器件数值模拟背景及发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2 主要工作及创新 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体器件数值模拟理论基础 | 第14-28页 |
| 2.1 物质的分类 | 第14-15页 |
| 2.2 半导体中电子的运动 | 第15-16页 |
| 2.3 漂移扩散模型 | 第16-27页 |
| 2.3.1 漂移扩散方程组 | 第17-18页 |
| 2.3.2 漂移扩散方程的离散 | 第18-24页 |
| 2.3.2.1 有限体积法 | 第18-19页 |
| 2.3.2.2 Poisson方程的离散 | 第19-21页 |
| 2.3.2.3 电流连续性方程的离散 | 第21-24页 |
| 2.3.3 电势的求解 | 第24-27页 |
| 2.3.3.1 欧姆接触 | 第24-25页 |
| 2.3.3.2 肖特基接触 | 第25-26页 |
| 2.3.3.3 Neumann边界 | 第26页 |
| 2.3.3.4 栅接触 | 第26-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第三章 复合率及迁移率 | 第28-43页 |
| 3.1 复合率模型 | 第28-33页 |
| 3.1.1 直接复合 | 第28-30页 |
| 3.1.2 俄歇复合 | 第30-31页 |
| 3.1.3 复合中心复合 | 第31-33页 |
| 3.2 迁移率模型 | 第33-40页 |
| 3.2.1 Const迁移率模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 Analytic迁移率模型 | 第34-36页 |
| 3.2.3 Masetti迁移率模型 | 第36-38页 |
| 3.2.4 Arora迁移率模型 | 第38-39页 |
| 3.2.5 饱和迁移率模型 | 第39-40页 |
| 3.3 碰撞电离率 | 第40-41页 |
| 3.4 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 硅材料器件的模拟 | 第43-61页 |
| 4.1 PN结二极管 | 第43-45页 |
| 4.2 肖特基二极管 | 第45-47页 |
| 4.3 二维PN结二极管 | 第47-49页 |
| 4.4 二极管的反向特性 | 第49-52页 |
| 4.5 三极管 | 第52-55页 |
| 4.6 MOS器件 | 第55-60页 |
| 4.6.1 绝缘体 | 第56-58页 |
| 4.6.2 MOS器件 | 第58-60页 |
| 4.7 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
