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GaN基LED表面维纳结构的偏振出光

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-21页
    1.1 课题研究的目的和意义第10-12页
    1.2 LED 偏振出光器件的研究现状第12-19页
        1.2.1 实现 LED 偏振出光的主要途径第12页
        1.2.2 亚波长金属光栅偏光器件第12-14页
        1.2.3 亚波长金属光栅的透射增强效应第14-15页
        1.2.4 亚波长金属光栅偏光器件的研究现状第15-18页
        1.2.5 亚波长金属光栅的制备工艺第18-19页
    1.3 本论文的主要研究内容第19-21页
第二章 金属表面微纳结构器件的理论研究第21-30页
    2.1 波在金属中的传播第21-23页
    2.2 亚波长光栅结构的等效介质理论第23-27页
        2.2.1 等效折射率和周期阈值第23-26页
        2.2.2 介质膜理论第26-27页
    2.3 时域有限差分(FDTD)方法简介第27-28页
    2.4 本章小结第28-30页
第三章 GaN 基 LED 表面复合光栅偏光特性研究第30-42页
    3.1 FDTD 模拟 GaN 表面介质膜结构第30-32页
    3.2 GaN 基 LED 表面嵌入式复合光栅结构偏振出光特性第32-40页
        3.2.1 FDTD 模拟嵌入式复合光栅结构偏振出光简介第32-34页
        3.2.2 光栅结构参数对偏光特性的影响第34-40页
    3.3 本章小结第40-42页
第四章 新型表面微纳偏光结构第42-56页
    4.1 GaN 基 LED 表面空气隙金属光栅结构第42-48页
        4.1.1 空气隙偏振型金属光栅结构第42-43页
        4.1.2 空气隙厚度对偏振特性的影响第43-45页
        4.1.3 其他结构参数对偏光特性的影响第45-47页
        4.1.4 小结第47-48页
    4.2 纳米颗粒阵列的亚波长金属光栅结构第48-55页
        4.2.1 纳米颗粒阵列简立方堆积的偏振出光第49-51页
        4.2.2 光栅深度对纳米颗粒阵列结构偏振出光的影响第51-52页
        4.2.3 纳米颗粒阵列密堆积结构的偏振出光第52-55页
    4.3 本章小结第55-56页
第五章 亚波长光栅结构的制备第56-65页
    5.1 亚波长光栅结构的制备工艺第56-59页
        5.1.1 激光干涉光刻技术第56-58页
        5.1.2 离子束溅射沉积和离子束刻蚀技术第58-59页
    5.2 亚波长光栅的实验制备第59-63页
    5.3 测试与分析第63-64页
    5.4 本章小结第64-65页
第六章 总结和展望第65-67页
参考文献第67-73页
攻读硕士学位期间公开发表的论文第73-74页
致谢第74-75页

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