| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 光子晶体的概念及其特性 | 第10-12页 |
| 1.2 一维光子晶体滤波器研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 一维光子晶体模拟研究 | 第13-19页 |
| 1.3.1 电磁波在介质层中的传输矩阵 | 第14-16页 |
| 1.3.2 一维周期光子晶体的传输特性 | 第16-18页 |
| 1.3.3 一维含缺陷光子晶体的传输特性 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第二章 Si/SiO_2光子晶体的滤波特性研究 | 第22-32页 |
| 2.1 Si/SiO_2光子晶体在可见光波段的理论研究 | 第22-25页 |
| 2.1.1 (Si/SiO_2)~N光子晶体的能带 | 第22页 |
| 2.1.2 (Si/SiO_2)~N卢光子晶体透射谱和反射谱的模拟 | 第22-25页 |
| 2.2 Si/SiO_2光子晶体在近红外波段的理论研究 | 第25-31页 |
| 2.2.1 周期和缺陷材料对透射谱的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.2 缺陷厚度和入射角对透射谱的影响 | 第26-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 光子晶体薄膜的实验制备与测试 | 第32-44页 |
| 3.1 磁控溅射镀膜原理及制备工艺流程 | 第32-34页 |
| 3.1.1 磁控溅射镀膜原理 | 第32-33页 |
| 3.1.2 磁控溅射制备工艺流程 | 第33-34页 |
| 3.2 薄膜厚度的控制与校准 | 第34-38页 |
| 3.2.1 膜厚监测仪及其原理 | 第34-35页 |
| 3.2.2 膜厚监测仪的误差与校准 | 第35-38页 |
| 3.3 镀膜工艺参数的调整 | 第38-42页 |
| 3.3.1 溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.2 氩气压强对薄膜厚度的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 光子晶体薄膜的光学特性检测 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Si/SiO_2光子晶体的实验结果与讨论 | 第44-54页 |
| 4.1 周期对(Si/SiO_2)~N光子晶体禁带的影响 | 第44-45页 |
| 4.2 入射光角度对(Si/SiO_2)~N光子晶体禁带的影响 | 第45-48页 |
| 4.3 光子晶体缺陷模的滤波特性实验的研究 | 第48-50页 |
| 4.3.1 三种缺陷材料的选择 | 第48页 |
| 4.3.2 缺陷材料折射率对光子晶体透射峰的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 光子晶体禁带展宽 | 第50-52页 |
| 4.4.1 禁带展宽方法 | 第50-51页 |
| 4.4.2 增加光子晶体周期数实现禁带展宽 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 下一步的工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第66页 |
