| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 引言 | 第10-14页 |
| 1.2 GaN材料概述 | 第14-16页 |
| 1.3 MOCVD原理及设备概述 | 第16-25页 |
| 1.4 课题来源与研究内容 | 第25-29页 |
| 2 GaN基材料的MOCVD生长基础 | 第29-43页 |
| 2.1 GaN沉积物理现象 | 第29-36页 |
| 2.2 基本假设 | 第36-37页 |
| 2.3 控制方程 | 第37-40页 |
| 2.4 气体物性参数 | 第40-42页 |
| 2.5 化学反应速率 | 第42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 3 多物理场数值计算方法与建模研究 | 第43-62页 |
| 3.1 控制方程的离散 | 第43-44页 |
| 3.2 控制方程的计算方法 | 第44-50页 |
| 3.3 多物理场耦合数值模拟计算工具 | 第50-52页 |
| 3.4 计算几何模型 | 第52-55页 |
| 3.5 多物理场耦合模型验证 | 第55-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 4 基于BDS反应腔体的GaN生长工艺参数分析 | 第62-87页 |
| 4.1 反应腔体结构初步验证与分析 | 第62-65页 |
| 4.2 工艺流量影响分析 | 第65-70页 |
| 4.3 工艺压力影响分析 | 第70-77页 |
| 4.4 载片盘转速影响分析 | 第77-81页 |
| 4.5 BDS反应腔体扩展性分析 | 第81-84页 |
| 4.6 本章小结 | 第84-87页 |
| 5 基于BDS反应腔体的LED结构外延生长实验和评价 | 第87-105页 |
| 5.1 实验设备与仪器 | 第87-93页 |
| 5.2 实验方法 | 第93-96页 |
| 5.3 测试结果分析 | 第96-103页 |
| 5.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 6 全文总结与工作展望 | 第105-108页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第105-106页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第120-121页 |
| 附录2 博士生期间参与的课题研究情况 | 第121-122页 |
| 附录3 博士生期间申请和授权专利 | 第122-124页 |
| 附录4 博士生期间获得的科技成果和奖励 | 第124页 |