| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 纳米团簇的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.2 理论计算的重要性 | 第13-14页 |
| 1.3 所选课题的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 硅纳米团簇的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3.2 Sn O_2气敏元件的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 论文课题选择，研究目的和研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第19-35页 |
| 2.1 Hatree-Fock近似 | 第19-23页 |
| 2.2 密度泛函理论Density functional theory (DFT) | 第23-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.3 交换相关能量泛函 | 第25-27页 |
| 2.4 平面波方法及赝势方法 | 第27-28页 |
| 2.5 势能面及内禀反应坐标理论 | 第28-31页 |
| 2.5.1 势能面 | 第28-29页 |
| 2.5.2 内禀反应坐标理论 | 第29-31页 |
| 2.6 紧束缚(Tight-Binding)势 | 第31-32页 |
| 2.7 软件 | 第32-35页 |
| 第三章 硅纳米团簇多大尺度可以成体结构? | 第35-47页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 计算方法 | 第36-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 3.3.1 bulk-like, bucky-diamond和onion-like | 第37-42页 |
| 3.3.2 bulk-like和icosahedral | 第42-44页 |
| 3.3.3 不同尺度的硅纳米团簇的结构过渡 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 Si_(220)纳米团簇光学性能的TDDFT研究 | 第47-59页 |
| 4.1 引言 | 第47-49页 |
| 4.2 计算方法 | 第49-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-57页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第51-53页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第53-56页 |
| 4.3.3 电学性质 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 内嵌富勒烯Si_m@C_2n（m=7-13，2n=60，70，76和 84）的光学性能研究 | 第59-75页 |
| 5.1 引言 | 第59-61页 |
| 5.2 计算方法 | 第61页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第61-70页 |
| 5.3.1 几何结构 | 第61-65页 |
| 5.3.2 光学性质 | 第65-68页 |
| 5.3.3 电学性质 | 第68-69页 |
| 5.3.4 Si_m@C_2n集合的宽带吸收光谱 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-75页 |
| 第六章 CO在In掺杂的Sn O_2 (110)表面的气敏机理的理论研究 | 第75-87页 |
| 6.1 引言 | 第75-76页 |
| 6.2 计算方法 | 第76-78页 |
| 6.3 结果讨论 | 第78-85页 |
| 6.3.1 结构分析 | 第78-81页 |
| 6.3.2 吸附性能 | 第81-82页 |
| 6.3.3 电荷布局分析 | 第82-84页 |
| 6.3.4 过渡态研究 | 第84-85页 |
| 6.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-111页 |
| 附录 | 第111-115页 |
| 博士期间发表论文情况 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
