新型MEMS压电谐振器若干问题的仿真与研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 压电驱动单晶硅谐振器主体结构设计与分析 | 第15-25页 |
| 2.1 谐振器设计 | 第15-22页 |
| 2.1.1 振型和固有频率计算与设计 | 第15页 |
| 2.1.2 等效电路模型建立和参数设计 | 第15-22页 |
| 2.2 线性度 | 第22-23页 |
| 2.3 材料选择 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 谐振器Q值仿真分析 | 第25-47页 |
| 3.1 谐振器品质因数与损耗 | 第25-28页 |
| 3.1.1 损耗的类型 | 第25-27页 |
| 3.1.2 Q值的计算 | 第27-28页 |
| 3.2 锚点损耗优化 | 第28-45页 |
| 3.2.1 支撑节点设计 | 第29-34页 |
| 3.2.2 锚点附近的结构改进 | 第34-35页 |
| 3.2.3 锚点损耗的数学模型 | 第35-37页 |
| 3.2.4 有限元仿真分析 | 第37-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 谐振器加工工艺设计 | 第47-62页 |
| 4.1 压电驱动单晶硅谐振器实现工艺 | 第47-61页 |
| 4.1.1 工艺实现的总体流程 | 第47-51页 |
| 4.1.2 器件掩膜板设计与实现 | 第51-56页 |
| 4.1.3 沉积层间设计 | 第56-61页 |
| 4.2 器件制造与封装 | 第61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 压电驱动单晶硅谐振器测试与封装 | 第62-70页 |
| 5.1 压电驱动单晶硅谐振器的裸片测试 | 第62-65页 |
| 5.1.1 测试方法 | 第62-64页 |
| 5.1.2 测试结果 | 第64-65页 |
| 5.2 压电驱动单晶硅谐振器的气密封装 | 第65-67页 |
| 5.3 电驱动单晶硅谐振器封装后的电气性能测试 | 第67页 |
| 5.4 单晶硅谐振器器件的等效拟合 | 第67-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 全文总结 | 第70-71页 |
| 6.2 工作展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79-80页 |
