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基于Ⅳ族元素的新型二维拓扑绝缘体的理论设计

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第10-23页
    一、研究背景第10-20页
    二、论文选题的目的和意义第20-21页
    参考文献第21-23页
第二章 第一性计算理论和计算工具第23-31页
    2.1 第一性计算的基本原理第23-24页
    2.2 密度泛函理论第24-29页
    2.3 量子力学计算程序包VASP简介第29-30页
    参考文献第30-31页
第三章 哑铃形锡烷:一种大带隙拓扑绝缘体第31-43页
    3.1 引言第31-32页
    3.2 方法和计算细节第32页
    3.3 结果和讨论第32-39页
    3.4 小结第39-40页
    参考文献第40-43页
第四章 氢化导致的锗锡哑铃形结构大带隙量子自旋霍尔效应绝缘态第43-58页
    4.1 引言第43-45页
    4.2 研究方法和计算细节第45页
    4.3 结果和讨论第45-52页
    4.4 支持材料第52-53页
    4.5 小结第53-54页
    参考文献第54-58页
第五章 总结与展望第58-60页
致谢第60-61页
攻读硕士学位期间发表的论文第61-62页
攻读硕士学位期间参与的项目第62页
攻读硕士学位期间参加的会议第62页
硕士研究生期间的获奖情况第62-63页
附表第63页

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