| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 非线性光学简介 | 第8-15页 |
| 1.1.1 非线性光学的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.1.2 非线性光学的基本理论 | 第10-11页 |
| 1.1.3 三阶非线性光学效应 | 第11-14页 |
| 1.1.4 非线性光学材料的应用 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体量子点材料简介 | 第15-20页 |
| 1.2.1 半导体纳米材料的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.2 半导体量子点的基本物理效应 | 第18-19页 |
| 1.2.3 半导体材料的能带理论 | 第19-20页 |
| 1.3 本文研究的目的和意义 | 第20-21页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 Z扫描技术介绍 | 第22-35页 |
| 2.1 Z扫描技术简介 | 第22页 |
| 2.2 传统Z扫描技术的系统模型和基本原理 | 第22-30页 |
| 2.2.1 开孔Z扫描技术 | 第23-25页 |
| 2.2.2 闭孔Z扫描技术 | 第25-29页 |
| 2.2.3 三阶非线性极化率 | 第29-30页 |
| 2.3 Tophat挡板Z扫描技术 | 第30-34页 |
| 2.3.1 Top-hat挡板Z扫描技术简介 | 第30-32页 |
| 2.3.2 Top-hat挡板Z扫描技术的实验装置和理论分析 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 量子点的制备与表征 | 第35-41页 |
| 3.1 量子点制备方法简介 | 第35页 |
| 3.1.1 金属有机化合法 | 第35页 |
| 3.1.2 水相合成法 | 第35页 |
| 3.2 量子点的制备与表征 | 第35-40页 |
| 3.2.1 水溶性PbS量子点的制备与表征 | 第35-37页 |
| 3.2.2 水溶性Ag2S量子点的制备与表征 | 第37-39页 |
| 3.2.3 水溶性ZnS量子点的制备与表征 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 量子点材料Z扫描实验的结果与分析 | 第41-62页 |
| 4.1 纳秒激光脉冲作用下的Top-hat光束Z扫描实验 | 第41-45页 |
| 4.1.1 实验装置和实验条件 | 第41-42页 |
| 4.1.2 实验结果及分析 | 第42-45页 |
| 4.2 皮秒激光脉冲作用下的Top-hat光束Z扫描实验 | 第45-50页 |
| 4.2.1 实验装置和实验条件 | 第45页 |
| 4.2.2 实验结果及分析 | 第45-50页 |
| 4.3 飞秒激光脉冲作用下的Top-hat光束Z扫描实验 | 第50-61页 |
| 4.3.1 实验装置和实验条件 | 第50-51页 |
| 4.3.2 实验结果及分析 | 第51-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第71页 |
