| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 低维半导体结构 | 第8页 |
| 1.2 低维半导体材料在光通信中的应用 | 第8-9页 |
| 1.3 稀铋材料 | 第9页 |
| 1.4 激子 | 第9-10页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第10-11页 |
| 第2章 低维半导体结构中激子态的计算方法 | 第11-18页 |
| 2.1 打靶法 | 第11-16页 |
| 2.2 变分法 | 第16-17页 |
| 2.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第3章 低维半导体结构中激子态的研究 | 第18-29页 |
| 3.1 引言 | 第18页 |
| 3.2 理论模型 | 第18-20页 |
| 3.3 数值计算与结果分析 | 第20-28页 |
| 3.3.1 量子阱中激子结合能与阱宽以及Al、Bi组分的关系 | 第21-23页 |
| 3.3.2 量子阱中激子玻尔半径与阱宽的关系 | 第23页 |
| 3.3.3 量子阱中电子和空穴分离的非相关概率 | 第23-24页 |
| 3.3.4 量子线中激子结合能与量子线半径以及Al、Bi组分的关系 | 第24-25页 |
| 3.3.5 量子线中激子玻尔半径与量子线半径的关系 | 第25-26页 |
| 3.3.6 量子点中激子结合能与量子点半径以及Al、Bi组分的关系 | 第26-27页 |
| 3.3.7 量子点中激子玻尔半径与量子点半径的关系 | 第27-28页 |
| 3.4 结论 | 第28-29页 |
| 第4章 外加电场对低维半导体结构中激子态的影响 | 第29-38页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 理论模型 | 第29-31页 |
| 4.3 数值计算与结果分析 | 第31-37页 |
| 4.3.1 量子阱势能与电场的关系 | 第31页 |
| 4.3.2 量子阱中激子结合能与电场的关系 | 第31-34页 |
| 4.3.3 量子线中激子结合能与电场的关系 | 第34-36页 |
| 4.3.4 量子点中激子结合能与电场的关系 | 第36-37页 |
| 4.4 结论 | 第37-38页 |
| 第5章 外加磁场对低维半导体结构中激子态的影响 | 第38-48页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 理论模型 | 第38-40页 |
| 5.3 数值计算与结果分析 | 第40-47页 |
| 5.3.1 量子阱势能与磁场的关系 | 第40页 |
| 5.3.2 量子阱中激子结合能与磁场的关系 | 第40-44页 |
| 5.3.3 量子线中激子结合能与磁场的关系 | 第44-45页 |
| 5.3.4 量子点中激子结合能与磁场的关系 | 第45-47页 |
| 5.4 结论 | 第47-48页 |
| 第6章 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
