| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC UMOSFET的发展 | 第10-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 SiC UMOSFET基础 | 第18-30页 |
| 2.1 SiC材料 | 第18-20页 |
| 2.2 垂直SiC MOSFET工作原理 | 第20-22页 |
| 2.3 垂直SiC MOSFET电学参数 | 第22-28页 |
| 2.3.1 静态参数 | 第22-27页 |
| 2.3.2 动态参数 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET | 第30-51页 |
| 3.1 基本结构的SiC UMOSFET仿真及分析 | 第30-33页 |
| 3.1.1 普通SiC UMOSFET的结构及参数 | 第30-31页 |
| 3.1.2 普通SiC UMOSFET正向特性仿真 | 第31-32页 |
| 3.1.3 普通SiC UMOSFET反向特性仿真 | 第32-33页 |
| 3.2 p+栅氧保护SiC UMOSFET的仿真及分析 | 第33-37页 |
| 3.2.1 p+栅氧保护SiC UMOSFET的结构及参数 | 第33-34页 |
| 3.2.2 p+栅氧保护SiC UMOSFET的正向特性仿真 | 第34-35页 |
| 3.2.3 p+栅氧保护SiC UMOSFET反向特性 | 第35-37页 |
| 3.3 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的仿真及分析 | 第37-42页 |
| 3.3.1 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的结构及参数 | 第37-38页 |
| 3.3.2 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的正向特性仿真 | 第38-39页 |
| 3.3.3 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的反向特性仿真 | 第39-41页 |
| 3.3.4 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的栅电荷仿真 | 第41-42页 |
| 3.4 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的优值及参数优化 | 第42-47页 |
| 3.4.1 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET参数的优化 | 第43-44页 |
| 3.4.2 nw区域浓度(Nnw)对优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 nw区域宽度(Wnw)对优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 优化p+栅氧保护SiC UMOSFET的工艺流程 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 阶梯栅SiC UMOSFET | 第51-64页 |
| 4.1 阶梯栅SiC UMOSFET的结构、原理及参数 | 第51-52页 |
| 4.2 阶梯栅SiC UMOSFET的特性仿真 | 第52-57页 |
| 4.2.1 阶梯栅SiC UMOSFET的正向特性仿真 | 第52-54页 |
| 4.2.2 阶梯栅SiC UMOSFET反向特性仿真 | 第54-56页 |
| 4.2.3 阶梯栅SiC UMOSFET的栅电荷特性仿真 | 第56-57页 |
| 4.3 阶梯栅SiC UMOSFET结构的优值及参数优化 | 第57-61页 |
| 4.4 阶梯栅SiC UMOSFET结构的工艺流程 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
