| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 SiC材料、器件及其发展现状 | 第10-14页 |
| 1.1.1 SiC材料特点 | 第10-11页 |
| 1.1.2 碳化硅半导体器件 | 第11-13页 |
| 1.1.3 碳化硅半导体器件发展历史 | 第13-14页 |
| 1.2 功率半导体器件概述 | 第14-15页 |
| 1.3 4H-SiC JBS二极管国内外研究现状 | 第15-20页 |
| 1.4 本文主要工作和章节安排 | 第20-21页 |
| 第2章 4H-SiC结势垒肖特基二极管原理 | 第21-33页 |
| 2.1 PiN二极管 | 第21-24页 |
| 2.1.1 正向导通 | 第21-23页 |
| 2.1.2 反向阻断 | 第23-24页 |
| 2.2 肖特基势垒二极管 | 第24-27页 |
| 2.2.1 肖特基接触 | 第24-25页 |
| 2.2.2 正向导通 | 第25-26页 |
| 2.2.3 反向阻断 | 第26-27页 |
| 2.3 结势垒肖特基二极管 | 第27-30页 |
| 2.3.1 正向导通 | 第27-28页 |
| 2.3.2 反向阻断 | 第28-30页 |
| 2.4 器件的结电容 | 第30-31页 |
| 2.5 器件的反向恢复特性 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 4H-SiC ESO结势垒肖特基器件特性研究 | 第33-47页 |
| 3.1 4H-SiC ESO-JBS二极管工作机理 | 第33-34页 |
| 3.2 4H-SiC ESO-JBS器件结构优化 | 第34-41页 |
| 3.2.1 氧化层深度S变化对器件特性的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.2 N-外延层浓度变化对器件特性的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 N -外延层厚度变化对器件特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 4H-SiC ESO-JBS器件的温度特性 | 第41-44页 |
| 3.4.1 正向导通特性 | 第41-43页 |
| 3.4.2 反向阻断特性 | 第43-44页 |
| 3.4 4H-SiC ESO-JBS器件的结电容 | 第44页 |
| 3.5 4H-SiC ESO-JBS器件的反向恢复特性 | 第44-45页 |
| 3.6 4H-SiC ESO-JBS器件的工艺流程 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 具有异质结的结势垒器件特性研究 | 第47-59页 |
| 4.1 HJBD器件原理 | 第47-50页 |
| 4.1.1 异质结原理 | 第47-49页 |
| 4.1.2 HJBD二极管原理 | 第49-50页 |
| 4.2 HJBD器件结构优化 | 第50-53页 |
| 4.2.1 Si区域掺杂浓度不同对器件特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.2 HJBD与JBS的对比 | 第52-53页 |
| 4.3 HJBD器件的温度特性 | 第53-55页 |
| 4.4 HJBD器件的结电容 | 第55页 |
| 4.5 HJBD器件的反向恢复特性 | 第55-57页 |
| 4.6 HJBD器件的工艺流程 | 第57-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
