| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 主要符号对照表 | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-20页 |
| 1.1 低维体系 | 第9-11页 |
| 1.2 薄膜生长 | 第11-13页 |
| 1.3 拓扑超导和Majorana费米子 | 第13-17页 |
| 1.3.1 拓扑超导 | 第13-14页 |
| 1.3.2 Kitaev模型 | 第14-16页 |
| 1.3.3 Fu和Kane模型 | 第16-17页 |
| 1.4 铜氧化物超导体中的困惑 | 第17-19页 |
| 1.5 论文安排 | 第19-20页 |
| 第2章 实验仪器和原理 | 第20-41页 |
| 2.1 实验设备速览 | 第20-21页 |
| 2.2 超高真空技术 | 第21-25页 |
| 2.2.1 泵组 | 第21-24页 |
| 2.2.2 漏率 | 第24-25页 |
| 2.2.3 真空规 | 第25页 |
| 2.3 分子束外延技术 | 第25-30页 |
| 2.3.1 蒸发源 | 第27-28页 |
| 2.3.2 臭氧系统 | 第28-29页 |
| 2.3.3 衬底处理 | 第29-30页 |
| 2.4 离子束刻蚀和退火技术 | 第30-31页 |
| 2.5 低温技术 | 第31-33页 |
| 2.6 强磁场技术 | 第33-34页 |
| 2.7 扫描隧道显微镜技术 | 第34-41页 |
| 2.7.1 STM的基本原理 | 第35-36页 |
| 2.7.2 STM的基本结构 | 第36-39页 |
| 2.7.3 STM的应用 | 第39-41页 |
| 第3章 β-Bi_2Pd薄膜的拓扑超导和Majorana零能态的观测 | 第41-66页 |
| 3.1 研究背景 | 第41-47页 |
| 3.2 β-Bi_2Pd薄膜的MBE生长 | 第47-57页 |
| 3.2.1 在SrTiO_3衬底上Bi源的脱附和迁移 | 第48-49页 |
| 3.2.2 β-Bi_2Pd薄膜的MBE生长 | 第49-57页 |
| 3.3 β-Bi_2Pd薄膜的拓扑超导 | 第57-61页 |
| 3.3.1 β-Bi_2Pd厚膜（≥20 UC）的超导性质 | 第57-59页 |
| 3.3.2 β-Bi_2Pd薄膜的超导性质随层厚d和FBi/Pd的变化 | 第59-61页 |
| 3.4 β-Bi_2Pd薄膜的Majorana零能态 | 第61-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 铜氧化物高温超导体的原子层电子结构表征 | 第66-85页 |
| 4.1 研究背景 | 第66-70页 |
| 4.2 实验方法 | 第70-72页 |
| 4.3 Bi-2212的氩离子刻蚀和退火及原子层电子结构 | 第72-78页 |
| 4.3.1 Bi-2212的氩离子刻蚀和退火 | 第72-73页 |
| 4.3.2 Bi-2212的原子层电子结构 | 第73-78页 |
| 4.4 Bi-2201的氩离子刻蚀和退火及原子层电子结构 | 第78-84页 |
| 4.5 本章小结 | 第84-85页 |
| 第5章 铜氧化物薄膜的MBE生长和STM表征 | 第85-105页 |
| 5.1 研究背景 | 第85-89页 |
| 5.2 铜氧化物 | 第89-104页 |
| 5.2.1 CuO/SrTiO_3(001) | 第89-93页 |
| 5.2.2 CaCu_xO_y/SrTiO_3(001) | 第93-97页 |
| 5.2.3 SrCu_xO_y/SrTiO_3(001) | 第97-102页 |
| 5.2.4 LaCu_xO_y/SrTiO_3(001) | 第102-104页 |
| 5.3 本章小结 | 第104-105页 |
| 结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第119-120页 |
