| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-14页 |
| ·GAN 基紫外探测器 | 第8-10页 |
| ·军事应用背景 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·论文组织架构 | 第13-14页 |
| 第二章 日盲型ALGAN 基PIN 紫外探测器及其工艺原理 | 第14-26页 |
| ·光电探测器基本原理 | 第14-17页 |
| ·光电二极管 | 第14-16页 |
| ·PIN 光电二极管 | 第16-17页 |
| ·光电探测器性能参数 | 第17-18页 |
| ·ALGAN 基PIN 紫外探测器设计原理 | 第18-22页 |
| ·AlGaN 基PIN 紫外探测器物理模型 | 第18-20页 |
| ·AlGaN 基PIN 紫外探测器结构 | 第20-21页 |
| ·AlGaN 基PIN 探测器外延层结构 | 第21-22页 |
| ·金属—半导体接触原理 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 日盲型ALGAN 基PIN 紫外探测器的设计与工艺 | 第26-57页 |
| ·日盲型ALGAN 基PIN 紫外探测器外延膜层结构设计 | 第26-31页 |
| ·ALGAN 外延材料的质量表征 | 第31-37页 |
| ·紫外透射光谱测试 | 第32-34页 |
| ·XRD 衍射测试 | 第34-36页 |
| ·电流电压测试 | 第36-37页 |
| ·ALGAN 外延材料的ICP 刻蚀 | 第37-46页 |
| ·等离子体刻蚀原理 | 第37-40页 |
| ·AlGaN 外延材料的ICP 刻蚀 | 第40-41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-46页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·欧姆接触研究 | 第46-55页 |
| ·欧姆比接触电阻的测试方法及传输线模型（TLM） | 第48-50页 |
| ·P-GaN 的欧姆接触工艺 | 第50-52页 |
| ·N-AlGaN 的欧姆接触工艺 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·改进措施 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 日盲型ALGAN 基PIN 紫外探测器工艺流程设计 | 第57-62页 |
| ·主要工艺流程设计考虑 | 第57-58页 |
| ·器件制作工艺流程设计 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结束语 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
