| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 IGCT应用前景与研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 IGCT模型的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第12-14页 |
| 2 GCT结构与工作原理 | 第14-20页 |
| 2.1 GCT的结构特点 | 第14页 |
| 2.2 IGCT工作原理 | 第14-18页 |
| 2.2.1 开通原理 | 第15-16页 |
| 2.2.2 关断原理 | 第16-17页 |
| 2.2.3 内部换流过程 | 第17-18页 |
| 2.3 M-2T-3R模型的提出 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 GCT电路仿真模型的建立 | 第20-32页 |
| 3.1 电路仿真模型的建立 | 第20-25页 |
| 3.1.1 单元模型 | 第22页 |
| 3.1.2 双单元模型 | 第22页 |
| 3.1.3 多单元模型 | 第22-24页 |
| 3.1.4 M-2T-3R模型并联单元数对GCT特性的影响分析 | 第24-25页 |
| 3.2 仿真模型参数的确定 | 第25-31页 |
| 3.2.1 双极晶体管电流放大系数提取 | 第25-27页 |
| 3.2.2 渡越时间的提取 | 第27-28页 |
| 3.2.3 偏置电容的计算 | 第28-29页 |
| 3.2.4 电阻R_1、R_2、R_3的确定 | 第29-30页 |
| 3.2.5 分布参数分析 | 第30-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 GCT模型的电路仿真与验证 | 第32-50页 |
| 4.1 测试电路的建立 | 第32-33页 |
| 4.2 门极特性 | 第33-35页 |
| 4.3 GCT动态特性仿真分析 | 第35-42页 |
| 4.3.1 GCT开通特性仿真分析 | 第35页 |
| 4.3.2 GCT门极电流关断特性仿真分析 | 第35-38页 |
| 4.3.3 GCT阳极关断电压与阴极关断电流仿真分析 | 第38-42页 |
| 4.4 模型准确性和适用性分析 | 第42-47页 |
| 4.4.1 模型准确性分析 | 第42-44页 |
| 4.4.2 模型实用性分析 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 5 总结 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |