一种基于硅光电倍增管的钨酸镉闪烁体探测器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 硅光电倍增管（SiPM）的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 钨酸镉（CdWO4）闪烁体的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第14页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第14-16页 |
| 第2章 闪烁体性能的蒙特卡罗模拟 | 第16-23页 |
| 2.1 蒙特卡罗方法及GEANT4 | 第16页 |
| 2.2 闪烁体能量分布的模拟 | 第16-17页 |
| 2.3 闪烁体全能峰效率的模拟 | 第17-18页 |
| 2.4 闪烁体转换效率的模拟 | 第18页 |
| 2.5 钨酸镉闪烁体光输出的模拟 | 第18-20页 |
| 2.6 钨酸镉闪烁体能量沉积的模拟 | 第20-21页 |
| 2.7 钨酸镉闪烁体探测效率的模拟 | 第21-22页 |
| 2.8 本章小节 | 第22-23页 |
| 第3章 闪烁体性能的实验测试 | 第23-40页 |
| 3.1 闪烁体的主要性能 | 第23-25页 |
| 3.2 测试使用的闪烁体说明 | 第25-26页 |
| 3.3 闪烁体的发光衰减时间测试 | 第26-28页 |
| 3.4 闪烁体的光输出测试 | 第28-36页 |
| 3.5 闪烁体的能量分辨测试 | 第36页 |
| 3.6 闪烁体余辉时间测试 | 第36-39页 |
| 3.7 本章小节 | 第39-40页 |
| 第4章 小型闪烁体探测器的研制 | 第40-55页 |
| 4.1 闪烁体探测器 | 第40-42页 |
| 4.2 闪烁体的选择 | 第42页 |
| 4.3 硅光电倍增管性能研究 | 第42-47页 |
| 4.3.1 硅光电倍增管的选择 | 第43-44页 |
| 4.3.2 脉冲形状及时间特性分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 增益 | 第45-46页 |
| 4.3.4 噪声 | 第46-47页 |
| 4.3.5 温度变化对SiPM的影响 | 第47页 |
| 4.4 电路的设计 | 第47-48页 |
| 4.4.1 放大电路的设计 | 第47-48页 |
| 4.4.2 电路板设计 | 第48页 |
| 4.5 信号测试 | 第48-49页 |
| 4.6 能量分辨率的测试 | 第49-50页 |
| 4.7 6MeV直线加速器实验 | 第50-53页 |
| 4.7.1 6MeV直线加速器下信号测试 | 第50-51页 |
| 4.7.2 探测器可行性验证 | 第51-52页 |
| 4.7.3 探测器信号可获取性验证 | 第52页 |
| 4.7.4 探测器测试结果对CT成像可行性预研 | 第52-53页 |
| 4.8 结构设计 | 第53-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 5.1 工作成果 | 第55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第59页 |
