| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3 论文的组织结构 | 第10-12页 |
| 第二章 半导体器件的噪声基础 | 第12-27页 |
| 2.1 半导体器件噪声分析数学基础 | 第12-13页 |
| 2.2 白噪声 | 第13-16页 |
| 2.2.1 热噪声 | 第13-16页 |
| 2.2.2 散粒噪声 | 第16页 |
| 2.3 产生-复合噪声 | 第16-18页 |
| 2.4 1/f噪声 | 第18-22页 |
| 2.4.1 载流子涨落模型 | 第19页 |
| 2.4.2 迁移率涨落模型 | 第19-20页 |
| 2.4.3 半导体器件噪声的分类和特点 | 第20-22页 |
| 2.5 噪声分析对半导体器件质量表征和可靠性评估 | 第22-25页 |
| 2.5.1 利用 1/fγ噪声研究Si-SiO_2界面附近氧化层陷阱 | 第22-24页 |
| 2.5.2 1/f噪声研究半导体参数漂移失效的相关性 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 低频噪声测试系统 | 第27-32页 |
| 3.1 低频噪声测试方法 | 第27-29页 |
| 3.1.1 直接测量法 | 第27页 |
| 3.1.2 互谱测试法 | 第27-28页 |
| 3.1.3 基于PC机数字测量法 | 第28-29页 |
| 3.1.4 噪声测试系统抗干扰技术 | 第29页 |
| 3.2 低频噪声测试系统的搭建 | 第29-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 绝缘体上硅器件低频噪声分析及参数提取 | 第32-46页 |
| 4.1 器件结构 | 第32页 |
| 4.2 电学参数的测试 | 第32-35页 |
| 4.3 低频噪声的测试及参数提取 | 第35-45页 |
| 4.3.1 低频噪声的测试及器件参数提取 | 第35-40页 |
| 4.3.2 器件尺寸对低频噪声的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 电荷耦合效应对低频噪声的影响 | 第42-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结 | 第46-48页 |
| 5.1 全文总结 | 第46页 |
| 5.2 不足与后期工作展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 在校期间发表的学术论文 | 第52页 |