| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.3 移相器国内外发展动态 | 第12-16页 |
| 1.3.1 国外发展动态 | 第12-15页 |
| 1.3.2 国内发展动态 | 第15-16页 |
| 1.4 课题主要工作及本文章节安排 | 第16-17页 |
| 第二章 SiGe BiCMOS工艺以及器件特性简介 | 第17-30页 |
| 2.1 IBM SiGe BiCMOS技术简介 | 第18-22页 |
| 2.1.1 工艺特性 | 第18-20页 |
| 2.1.2 工艺剖面结 | 第20-22页 |
| 2.2 器件模型 | 第22-29页 |
| 2.2.1 MOSFET模型 | 第22-24页 |
| 2.2.2 NPN模型 | 第24-25页 |
| 2.2.3 金属-绝缘体-金属电容（MIM） | 第25页 |
| 2.2.4 电阻模型 | 第25-26页 |
| 2.2.5 电感模型 | 第26-27页 |
| 2.2.6 传输线模型 | 第27-28页 |
| 2.2.7 背孔TSV技术 | 第28-29页 |
| 2.3 仿真环境构建（Cadence与HFSS联合仿真） | 第29页 |
| 2.4 本章小节 | 第29-30页 |
| 第三章 移相器原理分析 | 第30-36页 |
| 3.1 移相器关键指标 | 第31-33页 |
| 3.1.1 工作频带|△f| | 第31页 |
| 3.1.2 移相量 | 第31页 |
| 3.1.3 移相误差 | 第31-32页 |
| 3.1.4 插入损耗 | 第32页 |
| 3.1.5 附加衰减 | 第32页 |
| 3.1.6 电压驻波比 | 第32页 |
| 3.1.7 开关时间 | 第32页 |
| 3.1.8 功率线性度 | 第32-33页 |
| 3.2 移相器的分类 | 第33-35页 |
| 3.2.1 负载线型移相器 | 第33-34页 |
| 3.2.2 开关线型 | 第34页 |
| 3.2.3 开关式滤波器型移相器 | 第34页 |
| 3.2.4 矢量调制移相器 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Ku、K波段 6-bit数控移相器设计 | 第36-63页 |
| 4.1 移相器设计方案选择 | 第36页 |
| 4.2 开关器件MOSFET的优化 | 第36-38页 |
| 4.3 移相 5.625°和 11.25°单元 | 第38-45页 |
| 4.3.1 移相 5.625°和 11.25°单元电路结构 | 第40-42页 |
| 4.3.2 移相 5.625°单元后仿结果 | 第42-43页 |
| 4.3.3 移相 11.25°单元后仿结果 | 第43-45页 |
| 4.4 移相 22.5°和 45°单元 | 第45-51页 |
| 4.4.1 移相 22.5°和 45°单元电路结构 | 第46-48页 |
| 4.4.2 移相 22.5°单元后仿结果 | 第48-50页 |
| 4.4.3 移相 45°单元后仿结果 | 第50-51页 |
| 4.5 移相 90°和 180°单元 | 第51-56页 |
| 4.5.1 移相 90°和 180°单元电路结构 | 第51-53页 |
| 4.5.2 移相 90°单元后仿结果 | 第53-55页 |
| 4.5.3 移相 180°单元后仿结果 | 第55-56页 |
| 4.6 六位数控移相器的整体版图设计 | 第56-58页 |
| 4.7 六位数控移相器级联后仿结果 | 第58-62页 |
| 4.7.1 Ku波段 6-bit移相器仿真结果 | 第58-60页 |
| 4.7.2 K波段 6-bit移相器仿真结果 | 第60-62页 |
| 4.8 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 K波段多功能收发前端芯片（T/R SoC）设计 | 第63-86页 |
| 5.1 多功能T/R SoC研究目标 | 第63-64页 |
| 5.1.1 研究目标 | 第63页 |
| 5.1.2 研究难点 | 第63-64页 |
| 5.2 多功能T/R SoC架构设计 | 第64-66页 |
| 5.2.1 架构设计 | 第64-66页 |
| 5.2.2 系统中各模块指标分配 | 第66页 |
| 5.3 开关设计 | 第66-68页 |
| 5.4 接收/发射通道前端低噪声放大器设计 | 第68-72页 |
| 5.5 共用通道中间级放大器设计 | 第72-74页 |
| 5.6 接收/发射通道末级放大器设计 | 第74-77页 |
| 5.7 温度补偿衰减器 | 第77-79页 |
| 5.8 多功能T/R SoC的系统控制 | 第79页 |
| 5.9 多功能T/R SoC的系统设计结果 | 第79-85页 |
| 5.9.1 接收通道设计结果 | 第79-81页 |
| 5.9.2 发射通道设计结果 | 第81-83页 |
| 5.9.3 系统数控移相特性 | 第83页 |
| 5.9.4 系统数控衰减特性 | 第83-84页 |
| 5.9.5 系统SoC版图 | 第84-85页 |
| 5.10 本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 结论 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第92-93页 |
